Name: IQE006NE2LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND
Price: 625.9 JPY
Availability: InStock

IQE006NE2LM5CGATMA1
DigiKey製品番号	448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IQE006NE2LM5CGATMA1CT-ND - カットテープ（CT）
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IQE006NE2LM5CGATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN
メーカーの標準リードタイム	61 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 25 V 41A（Ta）、298A（Tc） 2.1W（Ta）、89W（Tc）面実装 PG-TTFN-9-1
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IQE006NE2LM5CGATMA1 モデル

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	OptiMOS™ 5
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT）
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	25 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	41A（Ta）、298A（Tc）
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	0.65ミリオーム @ 20A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	82.1 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±16V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	5453 pF @ 12 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	2.1W（Ta）、89W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TTFN-9-1
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN
ベース品番	IQE006

単価（消費税抜き）:	¥569.00000
単価（消費税込み）:	¥625.90000

IQE006NE2LM5CGATMA1