Name: IQE004NE1LM7CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE004NE1LM7CGSCATMA1TR-ND
Price: 388.3 JPY
Availability: InStock

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タシートを参照ください。

IQE004NE1LM7CGSCATMA1
DigiKey製品番号	448-IQE004NE1LM7CGSCATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IQE004NE1LM7CGSCATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IQE004NE1LM7CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IQE004NE1LM7CGSCATMA1
商品概要	TRENCH <= 40V
メーカーの標準リードタイム	39 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 15 V 58A（Ta）、379A（Tc） 2.1W（Ta）、89W（Tc）面実装 PG-WHTFN-9
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IQE004NE1LM7CGSCATMA1 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	OptiMOS™ 7
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	15 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	58A（Ta）、379A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、7V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	0.45ミリオーム @ 30A、7V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2V @ 432µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	55 nC @ 7 V
Vgs（最大）	±7V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	6240 pF @ 7.5 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	2.1W（Ta）、89W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-WHTFN-9
パッケージ/ケース	9-PowerWDFN