SiC整流器

STMicroelectronicsのSiC（シリコンカーバイド）構造のショットキーダイオードのスイッチングにより、設計者がより高いレベルの効率と電力密度に到達できます。STの電流定格2A〜40AをカバーするSTの650Vおよび1200V SiCダイオードファミリには、面実装DPAK HV（高電圧）およびD²PAKの産業用専用および自動車認定AEC-Q101デバイス、またはスルーホールTO-220ACおよびTO-247LL（ロングリード）パッケージが含まれます。

STの1200 VSiC（シリコンカーバイド）JBS（ジャンクションバリアショットキー）ダイオードの範囲は、高性能志向のアプリケーション向けの優れた効率、軽量、小型、および改善された熱特性に対する設計者のニーズを満たします。

優れた順方向電圧（低V_F ）と最先端の堅牢性を備えたSTの1200 V SiCダイオードは、動作温度を下げ、アプリケーションの寿命を延ばしながら、より低い電流定格で高効率と信頼性を実現するための自由度を強化します。これらは、SMPS、UPS、ソーラー、モータードライブなど、極端な電力密度と効率が必要なすべてのスイッチモードコンバータとインバータに完全に適合します。

STの1200V SiCダイオードファミリには、2 Aから40 Aまでの電流定格をカバーする、表面実装DPAK HV（高電圧）およびD²PAK、またはスルーホールTOの産業専用および自動車認定AEC-Q101デバイス、そして-220ACおよびTO-247LL（ロングリード）パッケージが含まれます

STの1200V SiCは、高い規格と小さなフォームファクタを可能にします。