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マーケットプレイス製品
900Vシリコンカーバイド（EliteSiC）MOSFET
onsemiのSiC MOSFETは、高効率、電力密度の向上、およびシステムサイズの縮小を実現
onsemiの900V EliteSiC MOSFETは、シリコンと比較して優れたスイッチング性能と高い信頼性をもたらす技術を使用しています。さらに、低いオン抵抗とコンパクトなチップサイズにより、低い静電容量とゲート電荷が確保されます。その結果、システムの利点には、高効率、動作周波数の高速化、電力密度の向上、EMIの低減、およびシステムサイズの縮小が含まれます。
特長
- 900V定格
- 低オン抵抗
- 小型チップサイズにより、低静電容量とゲート電荷を保証
- 高速スイッチングと低静電容量
- 100%のUILテスト済み
- AEC-Q101準拠の車載用認定
用途
- PFC
- OBC
- 昇圧インバータ
- PV充電
- EV/PHEV向け自動車用DC/DCコンバータ
- 車載用オンボード充電器
- 自動車用補助モータドライブ
- ネットワーク電源
- サーバ電源
900 V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | NVBG020N090SC1 | SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK | 508 - 即時 4800 - 工場在庫品 | $5,607.00 | 詳細を表示 |
|  | NTHL020N090SC1 | SICFET N-CH 900V 118A TO247-3 | 1663 - 即時 2700 - 工場在庫品 | $4,509.00 | 詳細を表示 |
| | NVHL020N090SC1 | SICFET N-CH 900V 118A TO247-3 | 168 - 即時 | $4,900.00 | 詳細を表示 |
|  | NTH4L060N090SC1 | SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL | 478 - 即時 450 - 工場在庫品 | $2,193.00 | 詳細を表示 |
|  | NTBG020N090SC1 | SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK | 974 - 即時 | $4,527.00 | 詳細を表示 |
| | NTHL060N090SC1 | SICFET N-CH 900V 46A TO247-3 | 463 - 即時 22950 - 工場在庫品 | $1,947.00 | 詳細を表示 |
| | NVHL060N090SC1 | SICFET N-CH 900V 46A TO247-3 | 163 - 即時 59400 - 工場在庫品 | $2,467.00 | 詳細を表示 |
Other Wide Bandgap Solutions
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| | NTHL080N120SC1 | SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 | 0 - 即時 | See Page for Pricing | 詳細を表示 |
|  | FFSD08120A | DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA | 2633 - 即時 5000 - 工場在庫品 | $1,027.00 | 詳細を表示 |
|  | NCD57001DWR2G | DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC | 1231 - 即時 | $969.00 | 詳細を表示 |
|  | NCP51705MNTXG | IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN | 961 - 即時 114000 - 工場在庫品 | $910.00 | 詳細を表示 |
|  | FFSB0665B | DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO263 | 627 - 即時 | $479.00 | 詳細を表示 |
|  | NDSH25170A | DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472 | 134 - 即時 | $2,790.00 | 詳細を表示 |
刊行： 2020-04-14
日本