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ひとつひとつのスイッチで未来を動かす
InfineonのゲートドライバICとパワースイッチの絶妙なマッチング。
Infineonは、さまざまな構成、電圧クラス、絶縁レベル、保護機能、パッケージオプションを備えたEiceDRIVER™ゲートドライバICの包括的なポートフォリオを提供しています。EiceDRIVER™ゲートドライバICは、InfineonのIGBTディスクリートおよびモジュール、シリコン（CoolMOS™、OptiMOS™、StrongIRFET™）およびシリコンカーバイドMOSFET（CoolSiC™）、窒化ガリウムHEMT（CoolGaN™）または統合パワーモジュール（CIPOS™ IPMおよびiMOTION™スマートIPM）の一部を補完します。
- EV充電
- コードレス電動工具/ロボティクス/LEV
- ヒートポンプ
- リソース
eモビリティの普及に伴い、効率的な充電を行うための高速DC EV充電器が必要とされています。DC充電器は、標準的なAC充電器よりも高速な充電が可能です。150kWのDC充電器は、15分でEVを200km分充電することができます。Infineonは、eモビリティと電源に関する専門知識を有しており、先端DC EVテクノロジーの最適なパートナーです。
推奨ゲートドライバ
| 応用 | 電圧クラス（V） | 構成 | 製品 | ソース/シンク電流（標準） | パッケージ | 製品概要 | 適合する電源スイッチモジュール |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DC/DC （<22kw） |
600V | ハイサイドおよびローサイド | IRS2186S | 4/4A | DSO-8 | 大電流によるハイパワーと高速スイッチング周波数 | CoolMOS™ MOSFET IPW60R018CFD7 IPW60R037CSFD CoolSIC™ MOSFET IMZ120R030M1H IMZA120R040M1H CoolSIC™ショットキーダイオード IDW40G120C5B IDWD40G120C5 CoolSIC™モジュール FF33MR12W1M1H (P)_B11 F4-33MR12W1M1H(P)_B11 FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 |
| 650V | 2ED2110S06M | 2.5/2.5A | DSO-16 300mil | Infineon SOI、統合BSD、高速レベルシフト、シャットダウン、VSS/COM分離型 | |||
| 650V | 22ED2181S06F | 2.5/2.5A | DSO-8 | Infineon SOI、統合BSD、HIN、LIN | |||
| 2300V | 1ch絶縁型 | 1ED3125MU12F | 10/9A | DSO-8 | EiceDRIVER™ X3コンパクト、ミラークランプ付き | ||
| 1200V | ハイサイドおよびローサイド | IR2213S | 2/2.5A | DSO-16 300mil | シャットダウンと分離電源 | ||
| 1200V | ハーフブリッジ | IR2214SS | 2/3A | SSOP-24 | DESAT、ソフトオフ、2段ターンオン、障害レポート、同期 | ||
| DC/DC （<50kw） |
2300V | 1ch絶縁型 | IED3124MU12F | 13.5/14A | DSO-8 | EiceDRIVER™ X3 Compact（分離出力） | CoolMOS™ MOSFET IPW60R018CFD7 IPW60R037CSFD CoolSIC™ MOSFET IMZ120R030M1H IMZ120R040M1H CoolSIC™ショットキーダイオード IDW40G120C5B IDWD40G120C5 CoolSIC™モジュール FF8MR12W1M1H(P)_B11 FF17MR12W1M1H(P)_B11 FF11MR12W2M1H(P)_B11 F4-17MR12W1M1H(P)_B11 |
| 1200V | 2ch絶縁型 | 2EDR8259H | 4/8A | PG-DSO-16 | EiceDRIVER™ 2EDI、強化絶縁 | ||
| 2300V | 1ch絶縁型 | 1ED3122MC12H | 10/9A | PG-DSO-8-66 | EiceDRIVER™ X3コンパクト、ミラークランプ付き | ||
| DC/DC（<150kW） | 2300V | 1ED3124MC12H | 13.5/14A | DSO-8 300mil | EiceDRIVER™ X3 Compact（分離出力） | CoolMOS™ MOSFET IPW60R018CFD7 CoolSIC™ MOSFET IMZ120R030M1H IMZ120R040M1H CoolSIC™ショットキーダイオード IDW40G120C5B IDWD40G120C5 CoolSIC™モジュール FF4MR12W2M1H(P)-B11 F4-11MR12W2M1H(P)_B11 FF4MR12W2M1HB70BPSA1 F411MR12W2M1HB70BPSA1 |
|
| 1ED3321MC12N | 6/8.5A | DSO-16 | EiceDRIVER™ Enhanced 1ED-f3（DESAT、ソフトオフおよびミラークランプ搭載） | ||||
| 1ED3890MC12M | 7.5/11A | DSO-16ファインピッチ | EiceDRIVER™ Enhanced X3デジタル（I2C構成可能、DESAT、ソフトオフおよびミラークランプ搭載） | ||||
| シングルエンド型ブーストPFC | 25V | 1ch非絶縁型 | 1ED4417N01B | 2.6/2.6A | SOT23-5 | イネーブル、プログラム可能な障害クリア時間、UVLO | CoolMOS™ MOSFET P7 IPW60R037P7 IPW60R024P7 650V TRENCHSTOP™5 H5IGBT IKW50N65EH5 650V TRENCHSTOP™5 WR6 IKWH40N65WR6 IKWH50N65WR6 1200V CoolSIC™ MOSFET IMW120R030M1H IMW120R040M1H 1200V TRENCHSTOP™ 7 H7 IKW50N120CH7 CoolSiC™ダイオード IDWD30G120C5 IDWD40G120C5 |
| 1ED44175N01B | 2.6/2.6A | SOT23-6 | 高速、高精度（±5%）OCP、障害レポート、イネーブル、負電流センシング | ||||
| 1ED44176N01F | 0.8/1.75A | DSO-8 | 高速、高精度（±5%）OCP、障害レポート、イネーブル、正電流センシング、VSS/COM分離 | ||||
| IES44273L | 1.5/1.5A | SOT23-5 | 追加OUTピン | ||||
| 200V | 1EDN8550B | 4/8A | SOT23-6 | 真の差動入力（±80Vの静的グラウンドシフト耐性） | |||
| インターリーブブーストPFC | 22V | 2ch非絶縁型 | 2EDN8534F | 5/5A | DSO-8 | 2ns遅延マッチング、19ns伝播遅延 | |
| 25V | IRS4427S | 2.3/2.3A | DSO-8 | 整合伝搬遅延 | |||
| トーテムポールPFC | 650V | ハイサイドおよびローサイド | 2ED2181S06F | 2.5/2.5A | DSO-8 | Infineon SOI、統合BSD、HIN、LIN | 600V CoolMOS™ MOS CFD 7 MOSFET IPP60R070CFD7 IPP60R280CFD7 IPT60R035CFD7 650V CoolSIC™ハイブリッドディスクリート IKW40N65RH5 IKW50N65RH5 IKW75N65RH5 IKW50N65SS5 IKW75N65SS5 EasyPACK™ IGBTモジュール FS100R12W2T7 |
| 1200V | 2ch絶縁型 | 2EDB8259F | 4/8A | DSO-16 | EiceDRIVER™ 2EDI（基本絶縁 3kV UL1577） | ||
| 2EDB8259Y | 5/9A | DSO-14 | EiceDRIVER™ 2EDI（基本絶縁 3kV UL1577） | ||||
| ウィーン整流器およびNPC2 | 22V | 2ch非絶縁型 | 2EDN7534F | 5/5A | DSO-8 | 2ns遅延マッチング、19ns伝播遅延 | 650V CoolMOS™ C7 MOSFET IPP65R045C7 IPW65R019C7 IPL65R070C7 600V CoolMOS™ P7 MOSFET IPP60R060P7 IPW60R024P7 650V TRENCHSTOP™5 H5 IKW75N65EH5 1200V CoolSIC™ Schottky Diode IDW40G120C5B CoolSIC™モジュール F3L11MR12W2M1H_B19 F3L11MR12W2M1HP_B19 F3L8MR12W2M1H_B11 F3L8MR12W2M1HP_B11 |
| 1200V | 1ch絶縁型 | 1EDB6275F | 5/9A | DSO-8 | EiceDRIVER™ 1EDB、基本絶縁（3kV UL1577） | ||
| 2300V | 1ED3142MU12F | 6/6.5A | DSO-8 | EiceDRIVER™ X3 Compact（分離出力） | |||
| 3相フルブリッジ | 2300V | 1ch絶縁型 | 1ED3461MC12N | 7.5/5A | DSO-16 | EiceDRIVER™ Enhanced X3アナログ（調節可能DESAT、ソフトオフおよびミラークランプ搭載） | CoolSiC™モジュール FS13MR12W2M1HPB11 |
| 1ED3321MC12N | 6/8.5A | DSO-16 | EiceDRIVER™ Enhanced 1ED-F3（調節可能DESAT、ソフトオフおよびミラークランプ搭載） |
何百万世帯もの人々が、日々の作業で電動工具に頼っています。消費者は、低価格でバッテリ寿命が長く、堅牢で信頼性の高いポータブルツールを求めています。 Infineonの革新的なポートフォリオは、安全機能を提供し、コストを削減しながら、あらゆる電動工具アプリケーションに関する消費者のニーズに応えます。
低電圧駆動/バッテリ駆動アプリケーション向け推奨ゲートドライバ
| 応用 | ゲートドライバ電圧クラス（V） | 構成 | 製品 | ソース/シンク電流（標準） | パッケージ | 製品概要 | 適合する電源スイッチモジュール |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| モータインバータ/BLDC | 60V | 3相 | 6EDL7141 | 1.5/1.5AV | VQFN-48 7x7mm | 完全にプログラム可能な統合電源と電流センスアンプ | StrongIRFET™ MOSFET IRF7480M IRF6726M StrongIRFET™ 2 MOSFET IPP016N08NF2S IPP026N10NF2S 30 V OptiMOS™ 5 MOSFET BSZ0500NSI BSC009NE2LS5 40V OptiMOS™ 5 MOSFET BSC019N04LS BSZ028N04LS 60 V OptiMOS™ 5 MOSFET BSC012N06NS IPT007N06N 80V OptiMOS™ 5 MOSFET BSC021N08NS5 IPT010N08NM5 100V OptiMOS™ 5 MOSFET BSC027N10NS5 IPT015N10N5 150V OptiMOS™ 5 MOSFET BSC074N15NS5 |
| 200V | ハイサイドおよびローサイド | 2ED2732S01G | 1/2A | DFN10 3x3mm | Infineon SOI、統合BSD、VSS/COM分離、サーマルパッド | ||
| 200V | 3相 | 6ED2742S01Q | 1/2A | QFN32 5x5mm | Infineon SOI、統合BSD、PMU、トリクル充電ポンプ、プログラム可能OCP、および電流センスアンプ、RFE | ||
| 200V | ハーフブリッジ | 2ED2748S01G | 4/8A | DFN10 3x3mm | Infineon SOI、統合BSD、VSS/COM分離、サーマルパッド | ||
| 200V | 1ch非絶縁型 | 1EDN7550B | 4/8A | SOT23-6 | 真の差動入力（±80Vの静的グラウンドシフト耐性） | ||
| 200V | 3相 | 6ED003L02-F2 | 0.165/0.375A | TSSOP-28、 | Infineon SOI、OCP、イネーブル、障害レポート | ||
| 200V | 6EDL04N02PR | 0.165/0.375A | Infineon SOI、統合BSD、OCP、イネーブル、障害レポート | ||||
| 200V | ハイサイドおよびローサイド | IRS2005S | 0.29/0.6A | DSO-8 | VCC＆VBS UVLO、整合伝播遅延時間 | ||
| 200V | ハーフブリッジ | IRS2007S | 0.29/0.6A | VCC＆VBS UVLO、整合伝播遅延時間 | |||
| 200V | ハイサイドおよびローサイド | IRS2011S | 1/1A | 60ns伝播遅延、VCC＆VBS UVLO | |||
| 600V | ハーフブリッジ | 2EDL05N06PF | 0.36/0.7AD | Infineon SOI、統合BSD | |||
| 600V | 2EDL23N06PJ | 2.3/2.8A | DSO-14 | Infineon SOI、統合BSD、OCP、イネーブル、障害レポート | |||
| 600V | 3相 | 6EDL04N06PT | 0.165/0.375A | DSO-28 300mil | Infineon SOI、統合BSD、OCP、イネーブル、障害レポート | ||
| 600V | ハイサイドおよびローサイド | IRS21867S | 4/4A | DSO-8 | 大電流によるハイパワーと高速スイッチング周波数、低UVLO（6V/5.5V） | ||
| バッテリチャージャ | 22V | 1ch非絶縁型 | 1EDN8511B | 4/8A | SOT23-6 | 分離出力、19ns伝播遅延 | CoolMOS™ MOSFET IPW60R070CFD7 IPAN60R125PFD7S CoolMOS™ MOSFET P7 IPA80R900P7 IPA60R180P7S 650V CoolSiC™ MOSFET IMW65R048M1H IMZA65R072M1H CoolSiC™ダイオード IDH10G65C6 IDW20G65C5B OptiMOS™ 5 IPA083N10N5 IPA029N06N |
| 22V | 2ch非絶縁型 | 2EDN8534F | 5/5A | DSO-8 | 2ns遅延マッチング、19ns伝播遅延 | ||
| 25V | 1ch非絶縁型 | 1ED44171N01B | 2.6/2.6A | SOT23-5 | イネーブル、プログラム可能な障害クリア時間、UVLO | ||
| 25V | 1ED44175N01B | 2.6/2.6A | SOT23-6 | 高速、高精度（±5%）OCP、障害レポート、イネーブル、負電流センシング | |||
| 25V | IRS44273L | 1.5/1.5A | SOT23-5 | 追加OUTピン | |||
| 600V | ハイサイドおよびローサイド | IRS2186S | 4/4A | DSO-8 | 大電流によるハイパワーと高速スイッチング周波数 | ||
| 650V | 2ED2106S06F | 0.29/0.7A | Infineon SOI、統合BSD、HIN、LIN | ||||
| 650V | 2ED2110S06M | 2.5/2.5A | DSO-16 300mil | Infineon SOI、統合BSD、高速レベルシフト、シャットダウン、VSS/COM分離型 | |||
| 650V | 2ED2181S06F | 2.5/2.5A | DSO-8 | Infineon SOI、統合BSD、HIN、LIN |
軽電気自動車（LEV）向け推奨ゲートドライバ
| 応用 | ゲートドライバ電圧クラス（V） | 構成 | 製品 | ソース/シンク電流（標準） | パッケージ | 製品概要 | 適合する電源スイッチモジュール |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| モータインバータ <3kW（<48Vバッテリ） | 60V | 3相 | 6EDL7141 | 1.5/1.5A | VQFN-48 7x7mm | フルプログラム可能、電源電流センスアンプ内蔵、スルーレート制御、保護機能搭載 | 60V StrongIRET™ IRFS753060 IRF60SC241 60V OptoMOS™ 5 MOSFET IPTG007N06NM5 IPB01N06N IST011N06NM5 BSC012N06NS 75V STrongIRFET™ IRFB7730 BSC036NE7NS3G |
| 200V | ハイサイドとローサイド | 2ED2732S01G | 1/2A | DFN10 3x3mm | SOI、統合BSD、UVLO、VSS/COM分離、サーマルパッド | ||
| 200V | 3相 | 6ED2742S01Q | 1/2A | QFN32、5x5mm | SOI、統合BSD、PMU、トリクル充電ポンプ搭載100%DC、ゲイン選択可能なプログラム可能OCP、CSアンプ、RFE | ||
| 200V | 3相 | 6EDL04N02PR | 0.165/0.375A | TSSOP-28、 | Infineon SOI、統合BSB、OCP、イネーブル、障害レポート | ||
| 200V | ハイサイドとローサイド | IRS2005 | 0.29/0.6A | DSO-8 | UVLO、MTON/OFF、最大=50ns、3.3V～15V入力 | ||
| 200V | ハイサイドとローサイド | IRS2011S | 1/1A | DSO-8 | UVLO、MTON/OFF、最大=20ns、3.3V～15V入力 | ||
| 600V | ハイサイドとローサイド | 2EDL05N06PF | 0.36/0.7A | DSO-8 | SOI、UVLO、MTON/OFF最大=60ns、3.3-15V入力、BSD | ||
| 600V | 3相 | 6EDL04N06PF | 0.165/0.375A | DSO-28 300mil | Infineon SOI、統合BSD、OCP、イネーブル、障害レポート | ||
| 600V | シングルハイサイド | IRS21271S | 0.2/0.42A | DSO-8 | UVLO、OCP、3～15V入力、障害レポート | ||
| モータインバータ 3～10kW（48～96Vバッテリ） | 200V | ハイサイドとローサイド | 2ED2738S01G | 4.8A | DFN10 3x3mm | SOI、統合BSD、UVLO、VSS/COM分離、サーマルパッド | 80V OptiMOS™5 MOSFET IPT010N08NM5 IPTG011N08NM5 IPB015N08N5 BSC019N08NS5 IST019N08NM5 100V IR MOSFET™ IRLS4030 IRF100B201 100V StrongIRFET™ 2 IPP026N10NF2S IPA030N10NF2S 100V OptiMOS™5 MOSFET IPTG014N10NM5 IPTG018N10NM5 IPTC015N10NM5 IPB017N10N5 IST026N10NM5 BCS027N10NS5 100V OptiMOS™6 MOSFET ISC022N10NM6 |
| 200V | 10ch非絶縁型 | 1EDN8550B | 4/8A | SOT23-6 | 真の差動入力、±80Vの静的および±160Vの動的グランドシフトに対する堅牢性、分離SRC/SNK出力ピン | ||
| 500V | ハイサイドとローサイド | IRS2110S | 2/2A | DSO-16W | MTON/OFF、最大=ns、電源/ロジックグランド分離、SDピン、3～20V入力 | ||
| 600V | ハイサイドとローサイド | 2EDL23N06PJ | 2.3/2.8A | DSO-14 | 3.3V～15V入力、-100V過渡、PGND、SOI統合BSD、OCP、UVLO、イネーブル、障害レポート | ||
| 600V | ハイサイドとローサイド | IRS21867S | 4/4A | DSO-8 | 3～5V入力、MTON/OFF、最大=35ns、UVLO、負の過渡耐性 | ||
| 650V | ハイサイドとローサイド | 2ED2181S06F | 2.5/2.5A | DSO-8 | SOI、BSD内蔵、3.3～15V入力、MTON/OFF、最大=35ns、-100V過渡耐性 | ||
| 650V | ハイサイドとローサイド | 2ED21814S06J | 2.5/2.5A | DSO-14 | SOI、統合BSD、3.3～15V入力、MTON/OFF、最大-35ns、-100過渡、分離ロジック | ||
| モータインバータ>10kW（>96Vバッテリ） | 1200V | 1ch絶縁型 | 1EDB8275F | 5/9A | DSO-8 | 3kV基本絶縁（CTテクノロジー採用）。(UL1577)、SRC/SNK分離出力、UVLO（4種）、CMTI>300V/ns | 150V IR MOSFET™ MOSFET IRFB4115 150V OptiMOS™ 5 MOSFET IPB044N15N5 IPT039N15N5 200V StrongIRFET™ IRF200S234 200V OptiMOS™ 3 MOSFET IPB107N20N3G IPTG111N20NM3FD |
| 2300V | 1ED3142MU12F | 6/6.5A | EiceDRIVER™ X3 Compact（分離出力） | ||||
| 1200V | 2ch絶縁型 | 2EDB8259F | 5/9A | DSO-16 | 3kV基本絶縁、CT技術採用（UL1577）。デッドタイム制御（DTC）およびSTP、UVLO（4種）、CMTI>150V/ns | ||
| 1200V | 2ch絶縁型 | 2EDB8259Y | 5/9A | DSO-14 | 3kV基本絶縁、CT技術採用（UL1577）。デッドタイム制御（DTC）およびSTP、UVLO（4種）、CMTI>150V/ns | ||
| 2300V | 1ch絶縁型 | 1ED3121MC12H | 5.5/5.5A | DSO-8 300mil | EiceDRIVER™ X3 Compact（分離出力） |
InfineonのEiceDRIVER™ゲートドライバICファミリは、高い電力効率を提供し、二酸化炭素の排出による地球温暖化の抑制に貢献します。高ノイズ耐性、堅牢性、使いやすさとともに、DESAT保護、アクティブミラークランプ、スルーレート制御、I2Cデジタル構成などの機能を備えたEiceDRIVER™ゲートドライバは、さまざまな電力レベルのインバータやヒートポンプ用PFCに広く使用されています。
ヒートポンプの方式別カテゴリ - 3つの主要システム
ヒートポンプシステムの代表的なブロック図
モータドライブアプリケーション用ゲートドライバIC
推奨ゲートドライバIC（ヒートポンプ - インバータ）
| ゲートドライバ電圧クラス（V） | 製品 | テクノロジー | チャンネル数 | UVLO ON/OFF（標準）［V］ | ドライブ電流 Io+/lo-（標準）［A］ | 伝搬遅延オフ/オン（標準）［ns］ | 特長 | パッケージ | 適合する電源スイッチモジュール |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 600V | 6EDL04I06PT | SOI | 6 | 11.7/9.8 | 0.165/0.375 | 490/530 | ブートストラップダイオード内蔵、過電流保護、イネーブル、障害レポート、ロジックグランド用分離ピン | DSO-28WB | 600V RC-D2 IKD10N60RC2 IKD15N60RC2 650V TRENCHSTOP™ IGBT6 IKA10N65ET6 IKA15N65ET6 600V TRENCHSTOP™ IKA10N60T IKA15N60T 650V TRENCHSTOP™ IGBT7 T7 IKW20N65ET7 IKW30N65ET7 IKW40N65ET7 |
| 600V | 6EDL04N06P | 9.0/8.1 | 0.165/0.375 | 530/530 | |||||
| 1200V | 6ED2230S12T | 11.4/10.4 | 0.35/0.65 | 600/600 | ブートストラップダイオード内蔵、過電流保護、シュートスルー保護、イネーブル、障害レポート、プログラム可能な障害クリアタイム、ロジックグランド用分離ピン | DSO-24 | 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 S7 IKW40N120CS7 IKW25N120CS7 1200V CoolSiC™ MOSFET IMW120R030M1H IMW120R040M1H |
||
| 1200V | 6ED2231S12T | 12.2/11.3 | 0.35/0.65 | 600/600 | |||||
| 650V | 2ED2304S06F | SOI | 2 | 9.1/8.3 | 0.36/0.7 | 300/310 | ブートストラップダイオード内蔵、シュートスルー保護 | DSO-8 | 600V RC-D2 IKD10N60RC2 IKD15N60RC2 650V TRENCHSTOP™ IGBT6 IKA10N65ET6 IKA05N65ET6 600V TRENCHSTOP™ IKA10N60T IKA15N60T 650V TRENCHSTOP™ IGBT T7 IKW20N65ET7 IKW30N65ET7 IKW40N65ET7 |
| 2ED2104S06F | 8.9/8.0 | 0.29/0.70 | 90/90 | ブートストラップダイオード内蔵、シュートスルー保護、シャットダウン入力 | |||||
| 2ED2184S06F | 9.1/8.2 | 2.5/2.5 | 200/200 | ||||||
| 600V | 2EDL23N06PJ | 9.1/8.3 | 2.3/2.8 | 300/310 | ブートストラップダイオード内蔵、過電流保護、シュートスルー保護、イネーブル、障害レポート、ロジックグランド用分離ピン | DSO-14 | |||
| 2EDL23I06PJ | 12.5/11.6 | 2.3/2.8 | 400/420 | ||||||
| 1200V | 2ED1324S12P | 12.2/11.3 | 2.3/2.3 | 500/500 | ブートストラップダイオード内蔵、アクティブミラークランプ、短絡クランプ、過電流保護、シュートスルー保護、イネーブル、プログラム可能な障害クリアタイム、ロジックグラウンド用分離ピン | DSO-20DW | 1200V TRENCHSTOP™ IGBT S7 IKW40N120CS7 IKW25N120CS7 1200V CoolSiC™ MOSFET IMW120R030M1H IMW120R040M1H |
||
| 2ED1322S12M | 12.2/11.3 | 2.3/4.6 | 350/350 | ブートストラップダイオード内蔵、過電流保護、シュートスルー保護、イネーブル、障害レポート、プログラム可能な障害クリアタイム、ロジックグランド用分離ピン | DSO-16 | ||||
| 1200V | 1EDI20N12AF | コアレストランス | 1 | 9.1/8.5 | 4.0/3.5 | 120/115 | シンク/ソース分離出力、ロジックグランド用分離ピン | DSO-8 150mil | 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 IKW40N120CH7 |
| 1EDI60I12AF | 12.0/11.1 | 10.0/9.4 | 300/300 | ||||||
| 1EDI20I12MF | 12.011.1 | 4.4/4.1 | 300/300 | アクティブミラークランプ、シンク/ソース出力分離、ロジックグランド用分離ピン | |||||
| 2EDO2OI12-FI | 2 | 12.0/11.0 | 1.5/2.5 | 85/85 | オペアンプ、OCP用コンパレータ | DSO-18 | |||
| 2300V | 1ED312OMU12H | 1 | 10.0/8.0 | 5.5/5.5 | 90/90 | UL1577認証取得、シンク/ソース分離出力、ロジックグランド用分離ピン | DSO-8 300mil | ||
| 1ED3240MC12H | 11.8/10.8 | 10.0/10.0 | 110/110 | 2レベルスルーレート制御、VDE0844-11（強化）、UL1577認証取得済み、シンク/ソース出力分離、ロジックグランド用分離ピン | |||||
| 1ED3122MC12H | 10.0/8.0 | 10.0/9.0 | 90/90 | UL1577認証取得済み、アクティブミラークランプ、ロジックグランド用分離ピン搭載 | |||||
| 1ED3140MU12F | 9.3/8.55 | 6.5/5.5 | 45/45 | UL1577認証取得済み、シンク/ソース分離出力、ロジックグランド用分離ピン | DSO-8 150mil | ||||
| 1ED3142MU12F | 13.6/12.55 | 6.5/5.5 | 45/45 | UL1577認証取得済み、シンク/ソース分離出力、ロジックグランド用分離ピン | |||||
| 1ED3321MC12N | 13.6/12.55 | 6/8.5 | 85/85 | UL1577およびVDE-11認証取得済み、アクティブミラークランプ、DESATおよびソフトオフ | DSO-16 300mil |
推奨ゲートドライバIC（ヒートポンプ - PFC）
| ゲートドライバ電圧クラス（V） | 製品 | PFCタイプ | テクノロジー | チャンネル数 | UVLO ON/OFF（標準）［V］ | ドライブ電流 Io+/lo-（標準）［A］ | 伝搬遅延オフ/オン（標準）［ns］ | 特長 | パッケージ | 適合する電源スイッチモジュール |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 25V | IRS4427S | ブーストPFC | デュアルローサイド | 2 | - | 2.3/3.3 | 65/85 | DSO-8 | 650V TRENCHSTOP™ 5 WR6 IKWH30N65WR6 IKW40N65WR6 650V TRENCHSTOP™ 5 H5 IKW40N65RH5 IKWH40N65WR6XKSA1 RAPID 1ダイオード IDW30C65D1 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 IKW40N120CH7 IKW40N120CH7XKSA1 EasyPIM™モジュール（IGBT） FB50R07W2E3_B23 FB50R07W2E3_C36 |
|
| 24V | 2ED24427N01F | 11.5/10.0 | 10.0/10.0 | 40/55 | パワーパッド付きDSO-8 | |||||
| 25V | 1ED44171N01B | シングルローサイド | 1 | 11.9/11.4 | 2.6/2.6 | 50/50 | SOT-23-5 | |||
| 1ED44176N01F | 11.9/11.4 | 0.8/1.75 | 50/50 | DSO-8 | ||||||
| 1ED44173N01B | 8.0/7.3 | 2.6/2.6 | 34/34 | SOT-23-6 | ||||||
| 1ED44175N01B | 11.9/11.0 | 2.6/2.6 | 50/50 | |||||||
| 650V | 2ED2304S06F | トーテムポールPFC | SOI | 2 | 9.1/8.3 | 0.36/0.7 | 300/310 | ブートストラップダイオード内蔵、シュートスルー保護 | DSO-8 | 650V TRENCHSTOP™ 5 IKWH30N65WR6 IKW40N65WR6 650V TRENCHSTOP™ 5 H5 IKW40N65RH5 |
| 2ED2104S06F | 8.9/8.0 | 0.29/0.7 | 90/90 | ブートストラップダイオード内蔵、シュートスルー保護、シャットダウン入力 | ||||||
| 2ED2184S06F | 9.1/8.2 | 2.5/2.5 | 200/200 | ブートストラップダイオード内蔵、シュートスルー保護、シャットダウン入力 | ||||||
| 600V | 2EDL23N06PJ | 9.1/8.3 | 2.3/2.8 | 300/310 | ブートストラップダイオード内蔵、過電流、シュートスルー保護、イネーブル、障害レポート、ロジックグランド用分離ピン | DSO-14 | ||||
| 2EDL23I06PJ | 12.2/11.3 | 2.3/2.3 | 400/420 | |||||||
| 1200V | 2ED1324S12P | 12.2/11.3 | 2.3/2.3 | 500/500 | ブートストラップダイオード内蔵、アクティブミラークランプ、過電流保護、シュートスルー保護、イネーブル、障害レポート、プログラム可能な障害クリアタイム、ロジックグランド用分離ピン | DSO-20DW | 1200V TRENCHSTOP™ IGBT H7 IKW40N120CH7XKSA1 |
|||
| 2ED1322S12M | 12.2/11.3 | 2.3/4.6 | 350/350 | ブートストラップダイオード内蔵、過電流保護、シュートスルー保護、イネーブル、プログラム可能な障害クリアタイム、ロジックグランド用分離ピン | DSO-16 | |||||
| 1200V | 1EDI20N12AF | コアレストランス | 1 | 9.1/8.5 | 4.0/3.5 | 12/115 | シンク/ソース分離出力、ロジックグランド用分離ピン | DSO-8 150mil | 1200V TRENCHSTOP™ IGBT H7 IKW40N120CH7XKSA1 EasyPIM™モジュール（IGBT） FP25R12W1T7_B11 FP35R12W2T7_B11 FP50R12W2T7_B11 FP35R12N2T7_B11 FP50R12N2T7_B11 FS55MR12W1M1HB11NPSA1 FS33MR12W1M1HPB11BPSA1 FS33MR12W1M1HPB11BPSA1 | |
| 1EDI60I12AF | 12.0/11.1 | 1.0/9.4 | 300/300 | |||||||
| 1EDI20I12MF | 12.0/11.1 | 4.4/4.1 | アクティブミラークランプ、シンク/ソース出力分離、ロジックグランド用分離ピン | |||||||
| 2ED020I12-FI | 2 | 12.0/11.0 | 1.5/2.5 | 85/85 | オペアンプおよびOCP用コンパレータ | DSO-8 150mil | ||||
| 2300V | 1ED3120MU12H | 1 | 10.0/8.0 | 5.5/5.5 | 90/90 | UL1577認証取得済み、シンク/ソース分離出力、ロジックグランド用分離ピン | DSO-18 | |||
| 1ED3122MU12H | 10.0/8.0 | 10.0/9.0 | UL1577認証取得済み、アクティブミラークランプ、ロジックグランド用分離ピン搭載 | DSO-8 300mil | ||||||
| 1ED3140MU12F | 9.3/8.55 | 6.5/5.5 | 45/45 | UL1577認証取得済み、シンク/ソース分離出力、ロジックグランド用分離ピン | ||||||
| 1ED3142MU12F | 13.6/12.55 | UL1577認証取得済み、シンク/ソース分離出力、ロジックグランド用分離ピン | DSO-8 150mil | |||||||
| 1ED3321MC12N | 13.6/12.55 | 6/8.5 | 85/85 | UL1577およびVDE-11認証取得済み、アクティブミラークランプ、DESATおよびソフトオフ | DSO-16 300mil |
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