IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon Technologies | シングルFET、MOSFET

IPTG111N20NM3FDATMA1
DigiKey製品番号	448-IPTG111N20NM3FDATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IPTG111N20NM3FDATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IPTG111N20NM3FDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPTG111N20NM3FDATMA1
商品概要	TRENCH >=100V PG-HSOG-8
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 200 V 10.8A（Ta）、108A（Tc） 3.8W（Ta）、375W（Tc）面実装 PG-HSOG-8-1
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPTG111N20NM3FDATMA1 モデル

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	OptiMOS™ 3
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	DigiKeyでは取扱い終了
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	10.8A（Ta）、108A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	11.1ミリオーム @ 96A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 267µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	81 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	7000 pF @ 100 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	3.8W（Ta）、375W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-HSOG-8-1
パッケージ/ケース	8-PowerSMD、ガルウィング
ベース品番	IPTG111N

IPTG111N20NM3FDATMA1