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なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
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F417MR12W1M1HB76BPSA1 | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | 448-F417MR12W1M1HB76BPSA1-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | F417MR12W1M1HB76BPSA1 |
商品概要 | LOW POWER EASY |
メーカーの標準リードタイム | 8 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | MOSFET - アレイ 1200V（1.2kV） 45A シャーシマウント |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | F417MR12W1M1HB76BPSA1 モデル |
製品属性
型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | Infineon Technologies | |
シリーズ | ||
梱包形態 | トレイ | |
部品状況 | アクティブ | |
技術 | シリコンカーバイド（SiC） | |
構成 | 4 Nチャンネル | |
FET機能 | - | |
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 1200V（1.2kV） | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 45A | |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 11.7ミリオーム @ 62.5A、18V | |
Id印加時のVgs（th）（最大） | 5.15V @ 20mA | |
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 200nC @ 18V | |
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 6050pF @ 800V | |
電力 - 最大 | - | |
動作温度 | -40°C～175°C（TJ） | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | シャーシマウント | |
パッケージ/ケース | モジュール | |
サプライヤデバイスパッケージ | - | |
ベース品番 |
在庫：15個
追加の入荷予定数量を確認
数量
価格はすべてJPYです
トレイ
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥14,997.00000 | ¥14,997 |
| 24 | ¥12,231.08333 | ¥293,546 |
| 単価（消費税抜き）: | ¥14,997.00000 |
|---|---|
| 単価（消費税込み）: | ¥16,496.70000 |
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1 品目
日本