Name: F433MR12W1M1HB76BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-F433MR12W1M1HB76BPSA1-ND
Price: 11606.1 JPY
Availability: InStock

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F433MR12W1M1HB76BPSA1
DigiKey製品番号	448-F433MR12W1M1HB76BPSA1-ND
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	F433MR12W1M1HB76BPSA1
商品概要	LOW POWER EASY
メーカーの標準リードタイム	29 週間
客先参照品番
詳細な説明	MOSFET - アレイ 1200V（1.2kV） 25A シャーシマウント
データシート	データシート
EDA/CADモデル	F433MR12W1M1HB76BPSA1 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET FET、MOSFETアレイ
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	EasyPACK™
梱包形態	トレイ
部品状況	アクティブ
技術	シリコンカーバイド（SiC）
構成	4 Nチャンネル
FET機能	-
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	1200V（1.2kV）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	25A
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	32.3ミリオーム @ 25A、 18V
Id印加時のVgs（th）（最大）	5.15V @ 10mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	74nC @ 18V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	2200pF @ 800V
電力 - 最大	-
動作温度	-40°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	シャーシマウント
パッケージ/ケース	モジュール
サプライヤデバイスパッケージ	-
ベース品番	F433MR12