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eGaN® FET Reliability
EPC
This presentation will discuss the reliability of commercially available enhancement mode gallium nitride transistors from EPC. To explain the devices’ reliability, this presentation will review how they operate and highlight both their similarities and differences versus today’s power MOSFETs. Additionally, this presentation will describe the reliability tests that were performed and the results achieved for EPC’s first-generation eGaN FETs.
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| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 入手可能な数量 | 価格 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | EPC2001C | GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE | 100 V | 36A（Ta） | 50347 - 即時 | $951.00 | 詳細を表示 |
|  | EPC2007C | GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE | 100 V | 6A（Ta） | 8679 - 即時 | $490.00 | 詳細を表示 |
|  | EPC2010C | GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE | 200 V | 22A（Ta） | 2868 - 即時 | $1,268.00 | 詳細を表示 |
|  | EPC2012C | GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE | 200 V | 5A（Ta） | 13109 - 即時 | $590.00 | 詳細を表示 |
| | EPC2014C | GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE | 40 V | 10A（Ta） | 19041 - 即時 | $350.00 | 詳細を表示 |
| | EPC2015C | GANFET N-CH 40V 53A DIE | 40 V | 53A（Ta） | 11914 - 即時 | $938.00 | 詳細を表示 |
|  | EPC2016C | GANFET N-CH 100V 18A DIE | 100 V | 18A（Ta） | 32765 - 即時 | $541.00 | 詳細を表示 |
|  | EPC8002 | GANFET N-CH 65V 2A DIE | 65 V | 2A（Ta） | 41155 - 即時 | $698.00 | 詳細を表示 |
| | EPC8004 | GANFET N-CH 40V 4A DIE | 40 V | 4A（Ta） | 4111 - 即時 | $682.00 | 詳細を表示 |
| | EPC8009 | GANFET N-CH 65V 4A DIE | 65 V | 4A（Ta） | 9917 - 即時 | $732.00 | 詳細を表示 |
| | EPC8010 | GANFET N-CH 100V 4A DIE | 100 V | 4A（Ta） | 10191 - 即時 | $490.00 | 詳細を表示 |
PTM Published on: 2011-04-06
PTM Updated on: 2016-03-30
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