EPC9052/53/54開発ボード

EPCのEPC9052/53/54開発ボードは、差動モードで動作する設定

EPCが提供するEPC2030/53/54開発ボードの画像EPCのGaN系差動モード開発ボードは、最大30MHzで動作することができます。 これらのボードは、電源システム設計者が窒化ガリウムトランジスタの非常に優れた性能を評価し、製品を迅速に大量生産に取り入れるための使いやすい方法を提供します。 これらの開発ボードは、無線充電などのクラスEアプリケーション向けに設計されていますが、ローサイドスイッチを利用するすべてのアプリケーション向けに使用することができます。 例として、プッシュプルコンバータ、電流モードクラスDアンプ、共通ソースの双方向スイッチ、LiDARなどの汎用的な高電圧狭幅パルスのアプリケーションなどその他にもあります。

これらの開発ボードは、200V定格eGaN FETです。 アンプは、差動モードで動作するように設定されており、シングルエンドモードで動作するよう再設定することができ、ゲートドライバおよび論理供給レギュレータを含みます。 すべて3個のボードは、一般的に好まれる仕様となっています。 構成を含めた動作の負荷条件では、最適な設計の負荷電圧および抵抗を決定します。

EPC9052/53/54 Development Boards

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BOARD DEV EPC2012C EGAN FETEPC9052BOARD DEV EPC2012C EGAN FET9 - 即時詳細を閲覧
BOARD DEV EPC2019 EGAN FETEPC9053BOARD DEV EPC2019 EGAN FET11 - 即時詳細を閲覧
BOARD DEV EPC2010C EGAN FETEPC9054BOARD DEV EPC2010C EGAN FET13 - 即時詳細を閲覧

Bumped Die

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GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINEEPC2010CGANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE6644 - 即時詳細を閲覧
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINEEPC2012CGANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE21052 - 即時詳細を閲覧
GANFET N-CH 200V 8.5A DIEEPC2019GANFET N-CH 200V 8.5A DIE45462 - 即時詳細を閲覧
刊行: 2016-01-21