Name: SCT055TO65G3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT055TO65G3TR-ND
Price: 1512.5 JPY
Availability: InStock

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SCT055TO65G3
DigiKey製品番号	497-SCT055TO65G3TR-ND - テープ＆リール（TR） 497-SCT055TO65G3CT-ND - カットテープ（CT） 497-SCT055TO65G3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	STMicroelectronics
メーカー製品番号	SCT055TO65G3
商品概要	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
メーカーの標準リードタイム	19 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 650 V 30A（Tc） 234W（Tc）面実装 TOLL（HV）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SCT055TO65G3 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	STMicroelectronics
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	SiCFET（炭化ケイ素）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	650 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	30A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	15V、18V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	72ミリオーム @ 15A、18V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4.2V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	31 nC @ 18 V
Vgs（最大）	+18V、-5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	687 pF @ 400 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	234W（Tc）
動作温度	-65°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	TOLL（HV）
パッケージ/ケース	8-PowerSFN
ベース品番	SCT055