SiCFET(炭化ケイ素) シングルFET、MOSFET

品目 : 590
メーカー
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorInfineon TechnologiesInventchipIXYSLittelfuse Inc.Microchip Technology
シリーズ
-C2M™C3M™CoolSiC™CoolSiC™ Gen 2CoolSIC™ M1E SeriesE-SeriesEasyPACK™G2R™G3R™G3R™, LoRing™NC1MWBG
梱包形態
Digi-Reel®カット テープ(CT)チューブテープ&リール(TR)トレイバルク
製品ステータス
アクティブ新規設計向けに不適合生産中止品
FETタイプ
-NチャンネルPチャンネル
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
650 V700 V750 V900 V1000 V1200 V1.2 kV1700 V3300 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
3A(Tc)3.7A(Tc)4A(Tc)4.6A(Tc)4.7A(Tc)4.9A(Tc)5A(Tc)5.2A(Tc)5.3A(Tc)5.9A(Tc)6A(Tc)6.2A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
0V、18V10V12V12V、15V15V15V、18V15V、20V18V18V、20V20V-
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
7.7ミリオーム @ 89.9A、18V8.5ミリオーム @ 146.3A、18V9.9ミリオーム @ 108A、18V10.6ミリオーム @ 90.3A、18V12.2ミリオーム @ 56.7A、18V13ミリオーム @ 100A、18V14.2ミリオーム @ 60A、12V16ミリオーム @ 80A、20V16.2ミリオーム @ 50A、18V16.9ミリオーム @ 58A、18V17ミリオーム @ 100A、20V17.1ミリオーム @ 40.4A、18V
Id印加時のVgs(th)(最大)
2V @ 250µA2.3V @ 2mA2.3V @ 5mA2.4V @ 10mA2.4V @ 1mA2.4V @ 1mA(標準)2.4V @ 4mA2.4V @ 4mA(標準)2.4V @ 750µA2.5V @ 1mA2.5V @ 500µA2.6V @ 1mA(標準)
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
5 nC @ 12 V5.3 nC @ 18 V5.9 nC @ 18 V6 nC @ 18 V8 nC @ 12 V8.5 nC @ 18 V9.4 nC @ 18 V9.5 nC @ 15 V9.7 nC @ 18 V10 nC @ 18 V11 nC @ 12 V11 nC @ 20 V
Vgs(最大)
-10V、+20V-8V、+19V+15V、-4V+15V、-5V±15V+18V、-15V+18V、-5V+18V、-8V+19V、-10V+19V、-8V+20V、-10V+20V、-2V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
111 pF @ 1000 V133 pF @ 1000 V139 pF @ 1000 V150 pF @ 600 V170 pF @ 800 V182 pF @ 800 V184 pF @ 800 V184 pF @ 1000 V184 pF @ 1360 V191 pF @ 1000 V196 pF @ 800 V200 pF @ 1000 V
FET機能
-デプリーションモード電流センシング
電力散逸(最大)
313mW(Tj)3.7W(Ta)、468W(Tc)3.7W(Ta)、477W(Tc)35W(Tc)40.8W(Tc)44W(Tc)50W(Tc)52W(Tc)54W(Tc)57W(Tc)60W(Tc)62.5W(Tc)
動作温度
-60°C~175°C(TJ)-55°C~135°C(TJ)-55°C~150°C-55°C~150°C(TJ)-55°C~155°C(TJ)-55°C~175°C-55°C~175°C(TJ)-55°C~200°C(TJ)-40°C~150°C(TJ)-40°C~175°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
グレード
-自動車
認定
-AEC-Q101
取り付けタイプ
-シャーシマウントスルーホール面実装
サプライヤデバイスパッケージ
4-TDFN(8x8)8-HPSOF-D2PAK-7D2PAK-7LD2PAK(7-Lead)D3D3PAKH2Pak-2H2PAK-2H2PAK-7HiP247™
パッケージ/ケース
4-PowerTSFN8-PowerSFN8-PowerVDFN22-PowerBSOPモジュール-D-3モジュールSOT-227-4、miniBLOCTO-220-3TO-247-3TO-247-4TO-263-3、D2PAK(2リード + タブ)、TO-263ABTO-263-7(ストレートリード)TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab)TO-263-8、D2PAK(7リード + タブ)、TO-263CA
在庫状況
環境規制対応状況
メディア
マーケットプレイス製品
590品目
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表示品目
/ 590
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メーカー品番
在庫数量
価格
シリーズ
パッケージ
製品ステータス
FETタイプ
技術
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
Id印加時のVgs(th)(最大)
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
Vgs(最大)
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
FET機能
電力散逸(最大)
動作温度
グレード
認定
取り付けタイプ
サプライヤデバイスパッケージ
パッケージ/ケース
PG-TO263-7
IMBF170R1K0M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Infineon Technologies
1,957
在庫あり
1 : ¥825.00000
カット テープ(CT)
1,000 : ¥426.47500
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1700 V
5.2A(Tc)
12V、15V
1000ミリオーム @ 1A、15V
5.7V @ 1.1mA
5 nC @ 12 V
+20V、-10V
275 pF @ 1000 V
-
68W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
面実装
PG-TO263-7-13
TO-263-8、D2PAK(7リード + タブ)、TO-263CA
TO-247-3
G2R1000MT17D
SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
8,590
在庫あり
1 : ¥910.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1700 V
5A(Tc)
20V
1.2オーム @ 2A、20V
5.5V @ 500µA
11 nC @ 20 V
+25V、-10V
111 pF @ 1000 V
-
44W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247-3
TO-247-3
PG-TO263-7
IMBF170R650M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Infineon Technologies
1,863
在庫あり
1 : ¥933.00000
カット テープ(CT)
1,000 : ¥482.57000
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1700 V
7.4A(Tc)
12V、15V
650ミリオーム @ 1.5A、15V
5.7V @ 1.7mA
8 nC @ 12 V
+20V、-10V
422 pF @ 1000 V
-
88W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
面実装
PG-TO263-7-13
TO-263-8、D2PAK(7リード + タブ)、TO-263CA
IMBG120R350M1HXTMA1
IMBG120R350M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263
Infineon Technologies
1,792
在庫あり
1 : ¥1,045.00000
カット テープ(CT)
1,000 : ¥593.15600
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1200 V
4.7A(Tc)
-
468ミリオーム @ 2A、18V
5.7V @ 1mA
5.9 nC @ 18 V
+18V、-15V
196 pF @ 800 V
-
65W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
面実装
PG-TO263-7-12
TO-263-8、D2PAK(7リード + タブ)、TO-263CA
PG-TO263-7
IMBF170R450M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Infineon Technologies
1,300
在庫あり
1 : ¥1,054.00000
カット テープ(CT)
1,000 : ¥597.96300
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1700 V
9.8A(Tc)
12V、15V
450ミリオーム @ 2A、15V
5.7V @ 2.5mA
11 nC @ 12 V
+20V、-10V
610 pF @ 1000 V
-
107W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
面実装
PG-TO263-7-13
TO-263-8、D2PAK(7リード + タブ)、TO-263CA
TO-247-3
G3R160MT12D
SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
339
在庫あり
1 : ¥1,090.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1200 V
22A(Tc)
15V
192ミリオーム @ 10A、15V
2.69V @ 5mA
28 nC @ 15 V
±15V
730 pF @ 800 V
-
123W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
G3R450MT17D
SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
2,790
在庫あり
1 : ¥1,206.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1700 V
9A(Tc)
15V
585ミリオーム @ 4A、15V
2.7V @ 2mA
18 nC @ 15 V
±15V
454 pF @ 1000 V
-
88W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247-3
TO-247-3
TO-3PFM
SCT2H12NZGC11
SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
Rohm Semiconductor
2,203
在庫あり
1 : ¥1,206.00000
チューブ
-
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1700 V
3.7A(Tc)
18V
1.5オーム @ 1.1A、18V
4V @ 900µA
14 nC @ 18 V
+22V、-6V
184 pF @ 800 V
-
35W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-3PFM
TO-3PFM、SC-93-3
C2D10120D
C3M0350120D
SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
2,895
在庫あり
1 : ¥1,238.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1200 V
7.6A(Tc)
15V
455ミリオーム @ 3.6A、15V
3.6V @ 1mA
19 nC @ 15 V
+15V、-4V
345 pF @ 1000 V
-
50W(Tc)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247-3
TO-247-3
TO-247N
SCT3120ALGC11
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Rohm Semiconductor
6,309
在庫あり
1 : ¥1,472.00000
チューブ
-
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
650 V
21A(Tc)
18V
156ミリオーム @ 6.7A、18V
5.6V @ 3.33mA
38 nC @ 18 V
+22V、-4V
460 pF @ 500 V
-
103W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247N
TO-247-3
TO-247N
SCT3160KLGC11
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Rohm Semiconductor
1,999
在庫あり
1 : ¥1,688.00000
チューブ
-
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1200 V
17A(Tc)
18V
208ミリオーム @ 5A、18V
5.6V @ 2.5mA
42 nC @ 18 V
+22V、-4V
398 pF @ 800 V
-
103W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247N
TO-247-3
TO-247-3
G3R75MT12D
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
3,414
在庫あり
1 : ¥1,756.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1200 V
41A(Tc)
15V
90ミリオーム @ 20A、15V
2.69V @ 7.5mA
54 nC @ 15 V
+22V、-10V
1560 pF @ 800 V
-
207W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247-3
TO-247-3
C3M0065090J
C2M1000170J
SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK
Wolfspeed, Inc.
372
在庫あり
1 : ¥1,785.00000
バルク
バルク
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1700 V
5.3A(Tc)
20V
1.4オーム @ 2A、20V
4V @ 500µA
13 nC @ 20 V
+25V、-10V
200 pF @ 1000 V
-
78W(Tc)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
面実装
D2PAK(7-Lead)
TO-263-7(ストレートリード)
TO-247-4 Top
G3R75MT12K
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
631
在庫あり
1 : ¥1,801.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1200 V
41A(Tc)
15V
90ミリオーム @ 20A、15V
2.69V @ 7.5mA
54 nC @ 15 V
+22V、-10V
1560 pF @ 800 V
-
207W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247-4
TO-247-4
C2D10120D
C2M0280120D
SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
14,348
在庫あり
1 : ¥1,833.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1200 V
10A(Tc)
20V
370ミリオーム @ 6A、20V
2.8V @ 1.25mA(標準)
20.4 nC @ 20 V
+25V、-10V
259 pF @ 1000 V
-
62.5W(Tc)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247-3
TO-247-3
C2D10120D
C2M1000170D
SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
2,675
在庫あり
1 : ¥1,902.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1700 V
4.9A(Tc)
20V
1.1オーム @ 2A、20V
4V @ 500µA
13 nC @ 20 V
+25V、-10V
191 pF @ 1000 V
-
69W(Tc)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247-3
TO-247-3
CoolSiC Series
IMZ120R060M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
Infineon Technologies
259
在庫あり
1 : ¥1,937.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1200 V
36A(Tc)
15V、18V
78ミリオーム @ 13A、18V
5.7V @ 5.6mA
31 nC @ 18 V
+23V、-7V
1060 pF @ 800 V
-
150W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
PG-TO247-4-1
TO-247-4
TO-247-3 AC EP
IMW120R060M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
Infineon Technologies
416
在庫あり
1 : ¥2,002.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1200 V
36A(Tc)
15V、18V
78ミリオーム @ 13A、18V
5.7V @ 5.6mA
31 nC @ 18 V
+23V、-7V
1060 pF @ 800 V
-
150W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
PG-TO247-3-41
TO-247-3
TO-247-3
G3R160MT17D
SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
955
在庫あり
1 : ¥2,047.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1700 V
21A(Tc)
15V
208ミリオーム @ 12A、15V
2.7V @ 5mA
51 nC @ 15 V
±15V
1272 pF @ 1000 V
-
175W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247-3
TO-247-3
C2D10120D
C3M0120090D
SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
838
在庫あり
1 : ¥2,051.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
900 V
23A(Tc)
15V
155ミリオーム @ 15A、15V
3.5V @ 3mA
17.3 nC @ 15 V
+18V、-8V
414 pF @ 600 V
-
97W(Tc)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
MSC080SMA120B
SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3
Microchip Technology
220
在庫あり
1 : ¥2,141.00000
チューブ
-
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1200 V
37A(Tc)
20V
100ミリオーム @ 15A、20V
2.8V @ 1mA
64 nC @ 20 V
+23V、-10V
838 pF @ 1000 V
-
200W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247-3
TO-247-3
G3R160MT12J-TR
G3R160MT17J-TR
1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
GeneSiC Semiconductor
1,682
在庫あり
1 : ¥2,171.00000
カット テープ(CT)
800 : ¥1,662.49000
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1700 V
18A(Tc)
15V
224ミリオーム @ 10A、15V
2.7V @ 5mA
29 nC @ 15 V
+15V、-5V
854 pF @ 1000 V
-
145W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
面実装
TO-263-7
TO-263-8、D2PAK(7リード + タブ)、TO-263CA
H2PAK
SCT20N120H
SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
STMicroelectronics
476
在庫あり
1 : ¥2,619.00000
カット テープ(CT)
1,000 : ¥1,658.28400
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1200 V
20A(Tc)
20V
290ミリオーム @ 10A、20V
3.5V @ 1mA
45 nC @ 20 V
+25V、-10V
650 pF @ 400 V
-
175W(Tc)
-55°C~200°C(TJ)
-
-
面実装
H2PAK-2
TO-263-3、D2PAK(2リード + タブ)、TO-263AB
C2D10120D
C2M0160120D
SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
1,475
在庫あり
1 : ¥2,661.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1200 V
19A(Tc)
20V
196ミリオーム @ 10A、20V
2.5V @ 500µA
32.6 nC @ 20 V
+25V、-10V
527 pF @ 800 V
-
125W(Tc)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247-3
TO-247-3
CoolSiC_MOSFET
IMBG120R045M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Infineon Technologies
1,007
在庫あり
1 : ¥2,776.00000
カット テープ(CT)
1,000 : ¥1,758.46600
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1200 V
47A(Tc)
-
63ミリオーム @ 16A、18V
5.7V @ 7.5mA
46 nC @ 18 V
+18V、-15V
1527 pF @ 800 V
-
227W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
面実装
PG-TO263-7-12
TO-263-8、D2PAK(7リード + タブ)、TO-263CA
表示品目
/ 590

SiCFET(炭化ケイ素) シングルFET、MOSFET


ディスクリート型の電界効果トランジスタ(FET)は、パワー変換、モータ制御、ソリッドステート照明など、大電流を通電しつつ高周波数でのオンオフ切り換え可能な特性が有利な用途で広く使用されます。数百ボルト以下の電圧定格を必要とする用途でほぼ全面的に使用されていますが、これを超える電圧定格ではIGBTなど他のタイプのデバイスが有利になります。