NXH004P120M3F2PTHG
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
NXH004P120M3F2PTHG
Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

NXH003P120M3F2PTHG

DigiKey製品番号
5556-NXH003P120M3F2PTHG-ND
メーカー
onsemi
メーカー製品番号
NXH003P120M3F2PTHG
商品概要
MOSFET 2N-CH 1200V 350A 36PIM
メーカーの標準リードタイム
21 週間
客先参照品番
詳細な説明
MOSFET - アレイ 1200V（1.2kV） 350A（Tc） 979W（Tc） シャーシマウント 36-PIM（56.7x62.8）
データシート
 データシート
製品属性
型
商品概要
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カテゴリ
メーカー
onsemi
シリーズ
-
梱包形態
トレイ
部品状況
アクティブ
技術
シリコンカーバイド（SiC）
構成
Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）
FET機能
-
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
1200V（1.2kV）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
350A（Tc）
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
5ミリオーム @ 200A、18V
Id印加時のVgs（th）（最大）
4.4V @ 160mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
1195nC @ 20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
20889pF @ 800V
電力 - 最大
979W（Tc）
動作温度
-40°C～175°C（TJ）
取り付けタイプ
シャーシマウント
パッケージ/ケース
モジュール
サプライヤデバイスパッケージ
36-PIM（56.7x62.8）
ベース品番
NXH003
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在庫：45個
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1¥33,343.00000¥33,343
20¥31,408.55000¥628,171
メーカーの標準パッケージ
注：製品の購入数量が標準パッケージを下回る場合、パッケージのタイプが変更されることがありますので、予めご了承ください。
単価（消費税抜き）:¥33,343.00000
単価（消費税込み）:¥36,677.30000
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6 品目
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