NXH004P120M3F2PTNG
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
NXH004P120M3F2PTNG
NXH004P120M3F2PTNG
Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

NXH003P120M3F2PTNG

DigiKey製品番号
5556-NXH003P120M3F2PTNG-ND
メーカー
メーカー製品番号
NXH003P120M3F2PTNG
商品概要
MOSFET 2N-CH 1200V 435A 36PIM
メーカーの標準リードタイム
20 週間
客先参照品番
詳細な説明
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV) 435A(Tj) 1.48kW(Tj) シャーシマウント 36-PIM(56.7x62.8)
データシート
 データシート
製品属性
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
onsemi
シリーズ
-
梱包形態
トレイ
部品状況
アクティブ
技術
シリコンカーバイド(SiC)
構成
Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)
FET機能
-
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
1200V(1.2kV)
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
435A(Tj)
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
5ミリオーム @ 200A、18V
Id印加時のVgs(th)(最大)
4.4V @ 160mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
1200nC @ 20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
20889pF @ 800V
電力 - 最大
1.48kW(Tj)
動作温度
-40°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ
シャーシマウント
パッケージ/ケース
モジュール
サプライヤデバイスパッケージ
36-PIM(56.7x62.8)
ベース品番
製品に関する質問と回答

エンジニアによる質問をチェックしたり、質問の投稿や知識を共有したりして、DigiKeyのエンジニアリングコミュニティを活用してみましょう

在庫:68個
メーカー在庫 60
追加の入荷予定数量を確認
価格はすべてJPYです
トレイ
数量 単価 請求価格
1¥35,852.00000¥35,852
20¥34,169.35000¥683,387
メーカーの標準パッケージ
注:製品の購入数量が標準パッケージを下回る場合、パッケージのタイプが変更されることがありますので、予めご了承ください。
単価(消費税抜き):¥35,852.00000
単価(消費税込み):¥39,437.20000