FF4MR12W2M1HB70BPSA1
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FF4MR12W2M1HB70BPSA1

DigiKey製品番号
448-FF4MR12W2M1HB70BPSA1-ND
メーカー
Infineon Technologies
メーカー製品番号
FF4MR12W2M1HB70BPSA1
商品概要
LOW POWER EASY
メーカーの標準リードタイム
10 週間
客先参照品番
詳細な説明
MOSFET - アレイ 1200V（1.2kV） 200A シャーシマウント
データシート
 データシート
EDA/CADモデル
FF4MR12W2M1HB70BPSA1 モデル
製品属性
型
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
Infineon Technologies
シリーズ
CoolSiC™
梱包形態
トレイ
部品状況
アクティブ
技術
シリコンカーバイド（SiC）
構成
Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）
FET機能
-
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
1200V（1.2kV）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
200A
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
4ミリオーム @ 200A、18V
Id印加時のVgs（th）（最大）
5.15V @ 80mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
594nC @ 18V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
17600pF @ 800V
電力 - 最大
-
動作温度
-40°C～150°C（TJ）
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
シャーシマウント
パッケージ/ケース
モジュール
サプライヤデバイスパッケージ
-
製品に関する質問と回答

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在庫：74個
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トレイ
数量 単価 請求価格
1¥31,668.00000¥31,668
15¥29,581.86667¥443,728
メーカーの標準パッケージ
注：製品の購入数量が標準パッケージを下回る場合、パッケージのタイプが変更されることがありますので、予めご了承ください。
単価（消費税抜き）:¥31,668.00000
単価（消費税込み）:¥34,834.80000
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