MOSFET - アレイ 1200V（1.2kV） 338A（Tj） 1100W（Tj） シャーシマウント 36-PIM（56.7x62.8）
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MOSFET - アレイ 1200V（1.2kV） 338A（Tj） 1100W（Tj） シャーシマウント 36-PIM（56.7x62.8）
NXH004P120M3F2PTNG
Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

NXH004P120M3F2PTNG

DigiKey製品番号
5556-NXH004P120M3F2PTNG-ND
メーカー
onsemi
メーカー製品番号
NXH004P120M3F2PTNG
商品概要
MOSFET 2N-CH 1200V 338A 36PIM
メーカーの標準リードタイム
24 週間
客先参照品番
詳細な説明
MOSFET - アレイ 1200V（1.2kV） 338A（Tj） 1100W（Tj） シャーシマウント 36-PIM（56.7x62.8）
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カテゴリ
メーカー
onsemi
シリーズ
-
梱包形態
トレイ
部品状況
アクティブ
技術
シリコンカーバイド（SiC）
構成
Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）
FET機能
-
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
1200V（1.2kV）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
338A（Tj）
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
5.5ミリオーム @ 200A、18V
Id印加時のVgs（th）（最大）
4.4V @ 120mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
876nC @ 20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
16410pF @ 800V
電力 - 最大
1100W（Tj）
動作温度
-40°C～175°C（TJ）
取り付けタイプ
シャーシマウント
パッケージ/ケース
モジュール
サプライヤデバイスパッケージ
36-PIM（56.7x62.8）
ベース品番
NXH004
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単価（消費税抜き）:¥33,258.00000
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