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カテゴリ | Id印加時のVgs（th）（最大） 4.4V @ 120mA |
メーカー onsemi | Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 876nC @ 20V |
梱包形態 トレイ | Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 16410pF @ 800V |
部品状況 アクティブ | 電力 - 最大 1100W（Tj） |
技術 シリコンカーバイド（SiC） | 動作温度 -40°C～175°C（TJ） |
構成 Nチャンネル2個（ハーフブリッジ） | 取り付けタイプ シャーシマウント |
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200V（1.2kV） | パッケージ/ケース モジュール |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 338A（Tj） | サプライヤデバイスパッケージ 36-PIM（56.7x62.8） |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 5.5ミリオーム @ 200A、18V | ベース品番 |
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在庫：4個
メーカー在庫 11,180
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| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥35,115.00000 | ¥35,115 |
| 20 | ¥31,325.35000 | ¥626,507 |
| 単価（消費税抜き）: | ¥35,115.00000 |
|---|---|
| 単価（消費税込み）: | ¥38,626.50000 |
