型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | ||
シリーズ | - | |
梱包形態 | トレイ | |
部品状況 | アクティブ | |
FETタイプ | ||
技術 | ||
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 1200 V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | ||
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 20V | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 56ミリオーム @ 35A、20V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 4.3V @ 10mA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 106 nC @ 20 V | |
Vgs(最大) | +25V、-15V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 1781 pF @ 800 V | |
FET機能 | - | |
電力散逸(最大) | 348W(Tc) | |
動作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | 面実装 | |
サプライヤデバイスパッケージ | ダイ | |
パッケージ/ケース |
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 819 | ¥1,939.54823 | ¥1,588,490 |
| 単価(消費税抜き): | ¥1,939.54823 |
|---|---|
| 単価(消費税込み): | ¥2,133.50305 |

