カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 5V @ 250µA
メーカー onsemi	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 49 nC @ 10 V
シリーズ UniFET™	Vgs（最大） ±30V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2130 pF @ 25 V
部品状況生産中止品	電力散逸（最大） 251W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 200 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 39A（Tc）	パッケージ/ケース TO-220-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 FDP39
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 66ミリオーム @ 19.5A、10V

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
FDP61N20	onsemi	2,118	FDP61N20-ND	¥608.00000	メーカー推奨品
IRFB4227PBF	Infineon Technologies	3,105	448-IRFB4227PBF-ND	¥459.00000	類似
IXTP50N20P	IXYS	0	IXTP50N20P-ND	¥1,180.00000	類似
STP30NF20	STMicroelectronics	1,215	497-5825-5-ND	¥470.00000	類似
STP40NF20	STMicroelectronics	1,003	497-5806-5-ND	¥695.00000	類似

FDP39N20

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