Name: ISA170170N04LMDSXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISA170170N04LMDSXTMA1TR-ND
Price: 180.4 JPY
Availability: InStock

MOSFET - アレイ 40V 7.2A（Ta）、9.6A（Tc） 1.4W（Ta）、2.5W（Tc）面実装 PG-DSO-8-920

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ISA170170N04LMDSXTMA1
DigiKey製品番号	448-ISA170170N04LMDSXTMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-ISA170170N04LMDSXTMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-ISA170170N04LMDSXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	ISA170170N04LMDSXTMA1
商品概要	ISA170170N04LMDSXTMA1
メーカーの標準リードタイム	35 週間
客先参照品番
詳細な説明	MOSFET - アレイ 40V 7.2A（Ta）、9.6A（Tc） 1.4W（Ta）、2.5W（Tc）面実装 PG-DSO-8-920
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET FET、MOSFETアレイ
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	OptiMOS™ 3
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
技術	MOSFET（金属酸化物）
構成	2 Nチャンネル（デュアル）
FET機能	論理レベルゲート
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	40V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	7.2A（Ta）、9.6A（Tc）
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	17ミリオーム @ 9.6A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2.7V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	19.5nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1100pF @ 20V
電力 - 最大	1.4W（Ta）、2.5W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
パッケージ/ケース	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）
サプライヤデバイスパッケージ	PG-DSO-8-920