Name: IQE046N08LM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE046N08LM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 970.2 JPY
Availability: OutOfStock

Nチャンネル 80 V 15.6A（Ta）、 99A（Tc） 2.5W（Ta）、100W（Tc）面実装 PG-WHTFN-9

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IQE046N08LM5CGSCATMA1
DigiKey製品番号	448-IQE046N08LM5CGSCATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IQE046N08LM5CGSCATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IQE046N08LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IQE046N08LM5CGSCATMA1
商品概要	OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
メーカーの標準リードタイム	61 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 80 V 15.6A（Ta）、 99A（Tc） 2.5W（Ta）、100W（Tc）面実装 PG-WHTFN-9
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IQE046N08LM5CGSCATMA1 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.3V @ 47µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 38 nC @ 10 V
シリーズ OptiMOS™ 5	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 3250 pF @ 40 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 2.5W（Ta）、100W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 80 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-WHTFN-9
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 15.6A（Ta）、 99A（Tc）	パッケージ/ケース 9-PowerWDFN
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 IQE046
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 4.6ミリオーム @ 20A、10V