Name: IQE022N06LM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE022N06LM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 570.9 JPY
Availability: InStock

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IQE022N06LM5CGSCATMA1
DigiKey製品番号	448-IQE022N06LM5CGSCATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IQE022N06LM5CGSCATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IQE022N06LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IQE022N06LM5CGSCATMA1
商品概要	OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
メーカーの標準リードタイム	39 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 60 V 24A（Ta）、 151A（Tc） 2.5W（Ta）、100W（Tc）面実装 PG-WHTFN-9
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IQE022N06LM5CGSCATMA1 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	OptiMOS™ 5
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	60 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	24A（Ta）、 151A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	2.2ミリオーム @ 20A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2.3V @ 48µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	53 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	4420 pF @ 30 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	2.5W（Ta）、100W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-WHTFN-9
パッケージ/ケース	9-PowerWDFN
ベース品番	IQE022