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購入可能な代替品:

直接


STMicroelectronics
在庫あり: 415
単価 : ¥941.00000
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類似


Vishay Siliconix
在庫あり: 1,718
単価 : ¥515.00000
データシート

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Vishay Siliconix
在庫あり: 732
単価 : ¥665.00000
データシート

類似


IXYS
在庫あり: 0
単価 : ¥411.91333
データシート

類似


IXYS
在庫あり: 0
単価 : ¥547.78000
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類似


Vishay Siliconix
在庫あり: 0
単価 : ¥550.00000
データシート

類似


STMicroelectronics
在庫あり: 0
単価 : ¥234.30000
データシート

類似


STMicroelectronics
在庫あり: 586
単価 : ¥414.00000
データシート

類似


STMicroelectronics
在庫あり: 1,222
単価 : ¥896.00000
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類似


Toshiba Semiconductor and Storage
在庫あり: 34
単価 : ¥846.00000
データシート
Nチャンネル 650 V 9A(Tc) 83W(Tc) スルーホール PG-TO220-3
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

IPP60R385CPXKSA1

DigiKey製品番号
448-IPP60R385CPXKSA1-ND
メーカー
メーカー製品番号
IPP60R385CPXKSA1
商品概要
MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 650 V 9A(Tc) 83W(Tc) スルーホール PG-TO220-3
データシート
 データシート
EDA/CADモデル
IPP60R385CPXKSA1 モデル
製品属性
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カテゴリ
Id印加時のVgs(th)(最大)
3.5V @ 340µA
メーカー
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
22 nC @ 10 V
シリーズ
Vgs(最大)
±20V
梱包形態
チューブ
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
790 pF @ 100 V
部品状況
新規設計向けに不適合
電力散逸(最大)
83W(Tc)
FETタイプ
動作温度
-55°C~150°C(TJ)
技術
取り付けタイプ
スルーホール
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
650 V
サプライヤデバイスパッケージ
PG-TO220-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
パッケージ/ケース
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
ベース品番
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
385ミリオーム @ 5.2A、10V
環境および輸出に関する分類
製品に関する質問と回答
関連リソース
代替品リスト(10)
品番メーカー 在庫数量DigiKey製品番号 単価 代替品のタイプ
STP10NK80ZSTMicroelectronics415497-7498-5-ND¥941.00000直接
IRF830APBFVishay Siliconix1,718IRF830APBF-ND¥515.00000類似
IRFBC30APBFVishay Siliconix732IRFBC30APBF-ND¥665.00000類似
IXTP12N65X2IXYS0IXTP12N65X2-ND¥411.91333類似
IXTP12N70X2MIXYS0238-IXTP12N70X2M-ND¥547.78000類似
受注発注品
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価格はすべてJPYです
チューブ
数量 単価 請求価格
500¥171.42000¥85,710
メーカーの標準パッケージ
注:製品の購入数量が標準パッケージを下回る場合、パッケージのタイプが変更されることがありますので、予めご了承ください。
単価(消費税抜き):¥171.42000
単価(消費税込み):¥188.56200