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SIHP12N65E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | SIHP12N65E-GE3-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | SIHP12N65E-GE3 |
商品概要 | MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB |
メーカーの標準リードタイム | 25 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Nチャンネル 650 V 12A（Tc） 156W（Tc） スルーホール TO-220AB |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | SIHP12N65E-GE3 モデル |
製品属性
型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | ||
シリーズ | - | |
梱包形態 | チューブ | |
部品状況 | アクティブ | |
FETタイプ | ||
技術 | ||
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 650 V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | ||
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 380ミリオーム @ 6A、10V | |
Id印加時のVgs（th）（最大） | 4V @ 250µA | |
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 70 nC @ 10 V | |
Vgs（最大） | ±30V | |
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 1224 pF @ 100 V | |
FET機能 | - | |
電力散逸（最大） | 156W（Tc） | |
動作温度 | -55°C～150°C（TJ） | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | スルーホール | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
パッケージ/ケース | ||
ベース品番 |
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数量
価格はすべてJPYです
チューブ
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥498.00000 | ¥498 |
| 10 | ¥322.80000 | ¥3,228 |
| 100 | ¥223.55000 | ¥22,355 |
| 500 | ¥181.09000 | ¥90,545 |
| 1,000 | ¥167.44800 | ¥167,448 |
| 2,000 | ¥155.97750 | ¥311,955 |
| 5,000 | ¥153.59140 | ¥767,957 |
| 単価（消費税抜き）: | ¥498.00000 |
|---|---|
| 単価（消費税込み）: | ¥547.80000 |
日本