Name: IMZA75R016M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA75R016M1HXKSA1-ND
Price: 3315.4 JPY
Availability: InStock

cms-photo-disclaimer

IMZA75R016M1HXKSA1
cms-digikey-product-number	448-IMZA75R016M1HXKSA1-ND
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	IMZA75R016M1HXKSA1
cms-description	SILICON CARBIDE MOSFET
cms-standard-lead-time	23 週間
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Nチャンネル 750 V 89A（Tj） 319W（Tc）スルーホール PG-TO247-4
データシート	データシート

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	CoolSiC™
梱包形態	チューブ
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	SiCFET（炭化ケイ素）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	750 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	89A（Tj）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	15V、20V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	15ミリオーム @ 41.5A、20V
Id印加時のVgs（th）（最大）	5.6V @ 14.9mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	81 nC @ 18 V
Vgs（最大）	+23V、-5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	2869 pF @ 500 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	319W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TO247-4
パッケージ/ケース	TO-247-4
ベース品番	IMZA75R016