Name: IMYH200R012M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMYH200R012M1HXKSA1-ND
Price: 13097.7 JPY
Availability: OutOfStock

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IMYH200R012M1HXKSA1
DigiKey製品番号	448-IMYH200R012M1HXKSA1-ND
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IMYH200R012M1HXKSA1
商品概要	SIC DISCRETE
メーカーの標準リードタイム	26 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 2000 V 123A（Tc） 552W（Tc）スルーホール PG-TO247-4-U04
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IMYH200R012M1HXKSA1 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	CoolSiC™
梱包形態	チューブ
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	SiCFET（炭化ケイ素）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	2000 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	123A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	15V、18V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	16.5ミリオーム @ 60A、18V
Id印加時のVgs（th）（最大）	5.5V @ 48mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	246 nC @ 18 V
Vgs（最大）	+20V、-7V
FET機能	-
電力散逸（最大）	552W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TO247-4-U04
パッケージ/ケース	TO-247-4
ベース品番	IMYH200