Name: FF6MR20W2M1HB70BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-FF6MR20W2M1HB70BPSA1-ND
Price: 38144.7 JPY
Availability: InStock

新製品

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FF6MR20W2M1HB70BPSA1
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cms-manufacturer	Infineon Technologies
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cms-description	FF6MR20W2M1HB70BPSA1
cms-standard-lead-time	10 週間
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cms-detailed-description	MOSFET - アレイ 2000V（2kV） 160A（Tj）シャーシマウント
データシート	データシート
cms-eda-cad-models	FF6MR20W2M1HB70BPSA1 モデル

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET FET、MOSFETアレイ
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	EasyPACK™
梱包形態	トレイ
部品状況	アクティブ
技術	シリコンカーバイド（SiC）
構成	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）
FET機能	-
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	2000V（2kV）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	160A（Tj）
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	8.1ミリオーム @ 160A、18V
Id印加時のVgs（th）（最大）	5.15V @ 112mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	780nC @ 3V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	24100pF @ 1.2kV
電力 - 最大	-
動作温度	-40°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	シャーシマウント
パッケージ/ケース	モジュール
サプライヤデバイスパッケージ	-