設定
迅速な配送
送料は無料
Incoterms
お支払い方法
マーケットプレイス製品
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
FF6MR20W2M1HB70BPSA1 | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | 448-FF6MR20W2M1HB70BPSA1-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | FF6MR20W2M1HB70BPSA1 |
商品概要 | FF6MR20W2M1HB70BPSA1 |
メーカーの標準リードタイム | 29 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | MOSFET - アレイ 2000V（2kV） 160A（Tj） シャーシマウント |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | FF6MR20W2M1HB70BPSA1 モデル |
製品属性
型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | Infineon Technologies | |
シリーズ | ||
梱包形態 | トレイ | |
部品状況 | アクティブ | |
技術 | シリコンカーバイド（SiC） | |
構成 | Nチャンネル2個（ハーフブリッジ） | |
FET機能 | - | |
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 2000V（2kV） | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 160A（Tj） | |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 8.1ミリオーム @ 160A、18V | |
Id印加時のVgs（th）（最大） | 5.15V @ 112mA | |
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 780nC @ 3V | |
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 24100pF @ 1200V | |
電力 - 最大 | - | |
動作温度 | -40°C～175°C（TJ） | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | シャーシマウント | |
パッケージ/ケース | モジュール | |
サプライヤデバイスパッケージ | - |
在庫：58個
追加の入荷予定数量を確認
数量
価格はすべてJPYです
トレイ
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥37,689.00000 | ¥37,689 |
| 15 | ¥33,658.13333 | ¥504,872 |
| 単価（消費税抜き）: | ¥37,689.00000 |
|---|---|
| 単価（消費税込み）: | ¥41,457.90000 |
こちらもご覧くださいすべてを表示
10 品目
日本