
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
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IMW65R020M2HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | 448-IMW65R020M2HXKSA1-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | IMW65R020M2HXKSA1 |
商品概要 | SILICON CARBIDE MOSFET |
メーカーの標準リードタイム | 61 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Nチャンネル 650 V 83A(Tc) 273W(Tc) スルーホール PG-TO247-3-40 |
データシート | データシート |
製品属性
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カテゴリ | Id印加時のVgs(th)(最大) 5.6V @ 9.5mA |
メーカー | Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 57 nC @ 18 V |
シリーズ | Vgs(最大) +23V、-7V |
梱包形態 チューブ | Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 2038 pF @ 400 V |
部品状況 アクティブ | 電力散逸(最大) 273W(Tc) |
FETタイプ | 動作温度 -55°C~175°C(TJ) |
技術 | 取り付けタイプ スルーホール |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 650 V | サプライヤデバイスパッケージ PG-TO247-3-40 |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | パッケージ/ケース |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 15V、20V | ベース品番 |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 18ミリオーム @ 46.9A、20V |
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チューブ
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥2,946.00000 | ¥2,946 |
| 30 | ¥1,795.86667 | ¥53,876 |
| 120 | ¥1,544.00000 | ¥185,280 |
| 510 | ¥1,359.61569 | ¥693,404 |
| 1,020 | ¥1,292.41275 | ¥1,318,261 |
| 単価(消費税抜き): | ¥2,946.00000 |
|---|---|
| 単価(消費税込み): | ¥3,240.60000 |
