Name: IMW65R015M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R015M2HXKSA1-ND
Price: 3841.2 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 5.6V @ 13mA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 79 nC @ 18 V
シリーズ CoolSiC™ Gen 2	Vgs（最大） +23V、-7V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2792 pF @ 400 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 341W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 650 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO247-3-40
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 93A（Tc）	パッケージ/ケース TO-247-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 15V、20V	ベース品番 IMW65R015
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 13.2ミリオーム @ 64.2A、20V