Name: IMW65R033M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R033M2HXKSA1-ND
Price: 2478.3 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 30ミリオーム @ 27.9A、20V
メーカー Infineon Technologies	Id印加時のVgs（th）（最大） 5.6V @ 5.7mA
シリーズ CoolSiC™	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 34 nC @ 18 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） +23V、-7V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1214 pF @ 400 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 194W（Tc）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 650 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 53A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO247-3-40
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 15V、20V	パッケージ/ケース TO-247-3