
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
IMBG65R163M1HXTMA1 | |
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DigiKey製品番号 | 448-IMBG65R163M1HXTMA1TR-ND - テープ&リール(TR) 448-IMBG65R163M1HXTMA1CT-ND - カット テープ(CT) 448-IMBG65R163M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
メーカー | |
メーカー製品番号 | IMBG65R163M1HXTMA1 |
商品概要 | SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- |
メーカーの標準リードタイム | 23 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Nチャンネル 650 V 17A(Tc) 85W(Tc) 面実装 PG-TO263-7-12 |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | IMBG65R163M1HXTMA1 モデル |
型 | 商品概要 | すべて選択 |
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カテゴリ | ||
メーカー | ||
シリーズ | ||
梱包形態 | テープ&リール(TR) カット テープ(CT) Digi-Reel® | |
部品状況 | アクティブ | |
FETタイプ | ||
技術 | ||
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 650 V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | ||
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 18V | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 217ミリオーム @ 5.7A、18V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 5.7V @ 1.7mA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 10 nC @ 18 V | |
Vgs(最大) | +23V、-5V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 320 pF @ 400 V | |
FET機能 | - | |
電力散逸(最大) | 85W(Tc) | |
動作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | 面実装 | |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-7-12 | |
パッケージ/ケース | ||
ベース品番 |
数量 | 単価 | 請求価格 |
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1 | ¥792.00000 | ¥792 |
10 | ¥508.70000 | ¥5,087 |
100 | ¥374.14000 | ¥37,414 |
500 | ¥354.12800 | ¥177,064 |
数量 | 単価 | 請求価格 |
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1,000 | ¥296.09700 | ¥296,097 |
単価(消費税抜き): | ¥792.00000 |
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単価(消費税込み): | ¥871.20000 |