Name: IGB110S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND
Price: 513.7 JPY
Availability: InStock

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IGB110S10S1XTMA1
DigiKey製品番号	448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IGB110S10S1XTMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IGB110S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IGB110S10S1XTMA1
商品概要	GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN
メーカーの標準リードタイム	25 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 9A（Ta）、23A（Tc） 2.5W（Ta）、15W（Tc）面実装 PG-TSON-4-2
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IGB110S10S1XTMA1 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 11ミリオーム @ 10A、5V
メーカー Infineon Technologies	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.9V @ 3mA
シリーズ CoolGaN™	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 3.4 nC @ 5 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±6.5V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 340 pF @ 50 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 2.5W（Ta）、15W（Tc）
技術 GaNFET（窒化ガリウム）	動作温度 -40°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 9A（Ta）、23A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ PG-TSON-4-2
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 5V	パッケージ/ケース 4-PowerTDFN