Name: IGB110S101XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB110S101XTMA1TR-ND
Price: 397.1 JPY
Availability: InStock

新製品

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IGB110S101XTMA1
DigiKey製品番号	448-IGB110S101XTMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IGB110S101XTMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IGB110S101XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IGB110S101XTMA1
商品概要	MV GAN DISCRETES
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 9A（Ta）、23A（Tc） 2.5W（Ta）、15W（Tc）面実装 PG-VSON-4-3
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IGB110S101XTMA1 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	CoolGaN™
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	GaNFET（窒化ガリウム）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	9A（Ta）、23A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	5V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	11ミリオーム @ 10A、5V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2.9V @ 3mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	4.4 nC @ 5 V
Vgs（最大）	±6.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	340 pF @ 50 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	2.5W（Ta）、15W（Tc）
動作温度	-40°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-VSON-4-3
パッケージ/ケース	4-PowerVDFN