Name: BSZ123N08NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ123N08NS3GATMA1TR-ND
Price: 367.4 JPY
Availability: OutOfStock

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BSZ123N08NS3GATMA1
DigiKey製品番号	BSZ123N08NS3GATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） BSZ123N08NS3GATMA1CT-ND - カットテープ（CT） BSZ123N08NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	BSZ123N08NS3GATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
メーカーの標準リードタイム	61 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 80 V 10A（Ta）、40A（Tc） 2.1W（Ta）、66W（Tc）面実装 PG-TSDSON-8
データシート	データシート
EDA/CADモデル	BSZ123N08NS3GATMA1 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.5V @ 33µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 25 nC @ 10 V
シリーズ OptiMOS™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1700 pF @ 40 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 2.1W（Ta）、66W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 80 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TSDSON-8
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 10A（Ta）、40A（Tc）	パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V、10V	ベース品番 BSZ123
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 12.3ミリオーム @ 20A、10V

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