Name: DMT8012LFG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT8012LFG-13-ND
Price: 66.60684 JPY
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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単価 : ¥238.00000

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DMT8012LFG-13
DigiKey製品番号	DMT8012LFG-13-ND - テープ＆リール（TR）
メーカー	Diodes Incorporated
メーカー製品番号	DMT8012LFG-13
商品概要	MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
メーカーの標準リードタイム	24 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 80 V 9.5A（Ta）、35A（Tc） 2.2W（Ta）、30W（Tc）面実装 POWERDI3333-8
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Diodes Incorporated
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	80 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	9.5A（Ta）、35A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	6V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	16ミリオーム @ 12A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	34 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1949 pF @ 40 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	2.2W（Ta）、30W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	POWERDI3333-8
パッケージ/ケース	8-PowerVDFN
ベース品番	DMT8012