Name: BSC010NE2LSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC010NE2LSIATMA1TR-ND
Price: 435.6 JPY
Availability: InStock

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BSC010NE2LSIATMA1
DigiKey製品番号	BSC010NE2LSIATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） BSC010NE2LSIATMA1CT-ND - カットテープ（CT） BSC010NE2LSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	BSC010NE2LSIATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 25 V 38A（Ta）、100A（Tc） 2.5W（Ta）、96W（Tc）面実装 PG-TDSON-8-7
データシート	データシート
EDA/CADモデル	BSC010NE2LSIATMA1 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 1.05ミリオーム @ 30A、10V
メーカー Infineon Technologies	Id印加時のVgs（th）（最大） 2V @ 250µA
シリーズ OptiMOS™	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 59 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±20V
部品状況新規設計向けに不適合	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 4200 pF @ 12 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 2.5W（Ta）、96W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 25 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8-7
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 38A（Ta）、100A（Tc）	パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 BSC010

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関連リソース

代替品リスト（2）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
CSD16401Q5	Texas Instruments	3,499	296-24525-1-ND	¥595.00000	類似
PJQ5424_R2_00001	Panjit International Inc.	2,165	3757-PJQ5424_R2_00001CT-ND	¥193.00000	類似