Name: G3R160MT12D
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G3R160MT12D-ND
Price: 1140.7 JPY
Availability: InStock

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G3R160MT12D
cms-digikey-product-number	1242-G3R160MT12D-ND
cms-manufacturer	GeneSiC Semiconductor
cms-manufacturer-product-number	G3R160MT12D
cms-description	SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
cms-standard-lead-time	20 週間
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Nチャンネル 1200 V 22A（Tc） 123W（Tc）スルーホール TO-247-3
データシート	データシート

cms-product-attributes

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cms-category	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	GeneSiC Semiconductor
シリーズ	G3R™
梱包形態	チューブ
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	SiCFET（炭化ケイ素）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	22A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	15V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	192ミリオーム @ 10A、15V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2.69V @ 5mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	28 nC @ 15 V
Vgs（最大）	±15V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	730 pF @ 800 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	123W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ	TO-247-3
パッケージ/ケース	TO-247-3
ベース品番	G3R160

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在庫：1,425個

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