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80V UMOS-XパワーMOSFET
ToshibaのMOSFETは、スイッチング電源やモータ制御機器の伝導損失を低減
Toshibaの80V MOSFETは、UMOS-Xトレンチ構造により、優れたRDS（ON）を実現しています。この低電圧プロセスは、伝導損失を減らすのに役立ち、全体としてデバイスの消費電力の削減に貢献します。このプロセスは、低ゲートスイッチチャージなどの前世代の利点も引き継いでいます。この80V MOSFETは、オン抵抗とゲート電荷のトレードオフを表す低い性能指数を提供します。
デバイスは、高効率のAC/DCおよびDC/DCコンバータなど、産業機器のスイッチング電源に適しています。他にも、モータ制御機器の駆動などにも使われています。現行のパッケージは、スルーホール型のTO-220と絶縁型のTO-220SISに加え、面実装型のDPAKが用意されています。
特長
- 低ON抵抗：VGS = 10V（TK2R4E08QM）で RDS（ON）= 2.44mΩ（最大）
- 低充電（出力、ゲートスイッチ）
- 低ゲート電圧駆動（6V駆動）
応用
- 産業機器用スイッチング電源（高効率AC/DCコンバータ、高効率DC/DCコンバータなど）
- モータ制御機器（モータドライバーなど）
80 V UMOS-X Power MOSFETs
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | Id印加時のVgs（th）（最大） | Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | TK2R4E08QM,S1X | UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM | 6V、10V | 3.5V @ 2.2mA | 178 nC @ 10 V | 0 - 即時 | $385.80 | 詳細を表示 |
| | TK7R0E08QM,S1X | UMOS10 TO-220AB 80V 7MOHM | 6V、10V | 3.5V @ 500µA | 39 nC @ 10 V | 108 - 即時 | $350.00 | 詳細を表示 |
|  | TK3R2A08QM,S4X | UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2MOHM | 6V、10V | 3.5V @ 1.3mA | 102 nC @ 10 V | 0 - 即時 | $530.00 | 詳細を表示 |
| | TK5R1A08QM,S4X | UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1MOHM | 6V、10V | 3.5V @ 700µA | 54 nC @ 10 V | 12 - 即時 | $390.00 | 詳細を表示 |
|  | TK6R9P08QM,RQ | UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM | 6V、10V | 3.5V @ 500µA | 39 nC @ 10 V | 787 - 即時 | $316.00 | 詳細を表示 |
| | TK3R3E08QM,S1X | UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM | 6V、10V | 3.5V @ 1.3mA | 110 nC @ 10 V | 58 - 即時 | $562.00 | 詳細を表示 |
| | TK5R3E08QM,S1X | UMOS10 TO-220AB 80V 5.3MOHM | 6V、10V | 3.5V @ 700µA | 55 nC @ 10 V | 68 - 即時 | $418.00 | 詳細を表示 |
| | TK5R1P08QM,RQ | UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM | 6V、10V | 3.5V @ 700µA | 56 nC @ 10 V | 7778 - 即時 | $376.00 | 詳細を表示 |
| | TK2R4A08QM,S4X | UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHM | 6V、10V | 3.5V @ 2.2mA | 179 nC @ 10 V | 69 - 即時 | $546.00 | 詳細を表示 |
| | TK6R8A08QM,S4X | UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8MOHM | 6V、10V | 3.5V @ 500µA | 39 nC @ 10 V | 14 - 即時 | $328.00 | 詳細を表示 |
刊行： 2021-08-04
日本