Name: TK6R8A08QM,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK6R8A08QMS4X-ND
Price: 360.8 JPY
Availability: InStock

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TK6R8A08QM,S4X
DigiKey製品番号	264-TK6R8A08QMS4X-ND
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TK6R8A08QM,S4X
商品概要	UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8MOHM
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 80 V 58A（Tc） 41W（Tc）スルーホール TO-220SIS
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TK6R8A08QM,S4X モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ	U-MOSX-H
梱包形態	チューブ
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	80 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	58A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	6V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	6.8ミリオーム @ 29A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3.5V @ 500µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	39 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	2700 pF @ 40 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	41W（Tc）
動作温度	175°C
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ	TO-220SIS
パッケージ/ケース	TO-220-3フルパッッケージ

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