Name: TK2R4E08QM,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK2R4E08QMS1X-ND
Price: 424.38 JPY
Availability: OutOfStock

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TK2R4E08QM,S1X
DigiKey製品番号	264-TK2R4E08QMS1X-ND
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TK2R4E08QM,S1X
商品概要	UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 80 V 120A（Tc） 300W（Tc）スルーホール TO-220
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TK2R4E08QM,S1X モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ	U-MOSX-H
梱包形態	チューブ
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	80 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	120A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	6V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	2.44ミリオーム @ 50A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3.5V @ 2.2mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	178 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	13000 pF @ 40 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	300W（Tc）
動作温度	175°C
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ	TO-220
パッケージ/ケース	TO-220-3