Name: TK3R3E08QM,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK3R3E08QMS1X-ND
Price: 707.3 JPY
Availability: InStock

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TK3R3E08QM,S1X
DigiKey製品番号	264-TK3R3E08QMS1X-ND
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TK3R3E08QM,S1X
商品概要	UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 80 V 120A（Tc） 230W（Tc）スルーホール TO-220
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TK3R3E08QM,S1X モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 3.3ミリオーム @ 50A、10V
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.5V @ 1.3mA
シリーズ U-MOSX-H	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 110 nC @ 10 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 7670 pF @ 40 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 230W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 175°C
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 80 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 120A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-220
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V、10V	パッケージ/ケース TO-220-3

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単価（消費税抜き）:	¥643.00000
単価（消費税込み）:	¥707.30000

TK3R3E08QM,S1X