TW070J120B SiC MOSFET

ToshibaのTW070J120B SiC（シリコンカーバイド）MOSFETは、TO-3P（N）パッケージで低（70mΩ）R_DS（ON）を特長としています

パワーデバイスは、産業機器およびその他の電気機器の消費電力を削減するために不可欠なコンポーネントです。SiCは、シリコンよりも高い電圧と低い損失を実現するため、パワーデバイスの次世代材料として広く期待されています。SiCパワーデバイスは、太陽光発電システムや産業機器の電力管理システムなど、電力密度の高いアプリケーションでの使用が期待されています。

東芝は、セル内のPNダイオードと並列にSBDを配置することにより、PNダイオードの通電を防止する構造を構築しました。内蔵SBDは、比較したオン状態電圧がPNダイオードよりも低いため、電流が流れ、ON抵抗の変化やMOSFETの信頼性の低下を抑制します。

SBD内蔵のMOSFETはすでに実用化されていますが、3.3kV前後の高電圧でのみ使用されます。通常内蔵SBDにより、ON抵抗は、高電圧製品のみが許容できるレベルまで上昇します。Toshibaはさまざまなデバイスパラメータを調整し、MOSFETのSBD面積の比率がON抵抗の増加を抑制するための鍵であることを発見しました。東芝は、SBD比を最適化することにより、信頼性の高い1.2kVクラスのSiC MOSFETを開発しました。