Name: TW070J120B,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW070J120BS1Q-ND
Price: 3582.788 JPY
Availability: OutOfStock

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TW070J120B,S1Q
DigiKey製品番号	264-TW070J120BS1Q-ND
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TW070J120B,S1Q
商品概要	SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
メーカーの標準リードタイム	15 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 1200 V 36A（Tc） 272W（Tc）スルーホール TO-3P（N）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TW070J120B,S1Q モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ	-
梱包形態	チューブ
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	SiCFET（炭化ケイ素）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	36A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	20V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	90ミリオーム @ 18A、20V
Id印加時のVgs（th）（最大）	5.8V @ 20mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	67 nC @ 20 V
Vgs（最大）	±25V、-10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1680 pF @ 800 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	272W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ	TO-3P（N）
パッケージ/ケース	TO-3P-3、SC-65-3
ベース品番	TW070J120