LMG1210ハーフブリッジMOSFETおよびGaN FETドライバ

Texas InstrumentsのLMG1210は、調節可能なデッドタイム能力、超小型伝播遅延、およびシステム効率を最適化するための3.4nsのハイサイド/ローサイドマッチングを特長とする、超高周波、高効率アプリケーション向けに設計された200V、ハーフブリッジMOSFETおよび窒化ガリウム電界効果トランジスタ（GaN FET）ドライバです。このデバイスは、電源電圧に関係なく5Vのゲート駆動電圧を確保するLDOを内蔵しています。

LMG1210では、さまざまなアプリケーションで最高の性能を引き出すために、設計者はハイサイドブートストラップコンデンサを充電するための最適なブートストラップダイオードを選択することができます。ローサイドがオフのときは内部スイッチがブートストラップダイオードをオフにして、ハイサイドブートストラップが過充電されるのを効果的に防止し、逆回復電荷を最小限に抑えます。GaN FETを横切る追加の寄生容量は、追加のスイッチング損失を減らすために1pF未満に最小化されます。

LMG1210は、独立入力モード（IIM）とPWMモードを含む2つの制御入力モードを備えています。IIMでは、各出力は専用の入力によって独立して制御されます。PWMモードでは、2つの相補出力信号が単一の入力から生成され、ユーザーは各エッジに対して0nsから20nsまでのデッドタイムを調節できます。LMG1210は-40℃〜+125℃の広い温度範囲で動作し、低インダクタンスのWQFNパッケージで提供されます。