LM5113ハーフブリッジゲートドライバ

Texas InstrumentsのLM5113は、ハイサイドとローサイドのエンハンスメントモードの窒化ガリウム（GaN）FETの両方を同期降圧またはハーフブリッジ構成で駆動するように設計されています。フローティングハイサイドドライバは、100Vまで動作するハイサイドエンハンスメントモードGaN FETを駆動することができます。ハイサイドバイアス電圧は、ブートストラップ技術を使用して生成され、5.2Vで内部クランプされ、ゲート電圧がエンハンスメントモードGaN FETの最大ゲート〜ソース電圧定格を超えるのを防止します。LM5113の入力はTTLロジックと互換性があり、V_DD電圧に関係なく最大14Vの入力電圧に耐えることができます。LM5113はスプリットゲート出力を備えており、ターンオンおよびターンオフの強さを個別に調整する柔軟性を提供します。

さらに、LM5113の強力なシンク能力は、ゲートを低状態に維持し、スイッチング中に意図しないターンオンを防止します。LM5113は数MHzまで動作できます。LM5113は、標準の10ピンWSONパッケージと12バンプのDSBGAパッケージで入手可能です。10ピンWSONパッケージには、電力放散を補助するための露出パッドが含まれています。DSBGAパッケージは、コンパクトな実装面積と最小限のパッケージインダクタンスを提供します。