LM5113ハーフブリッジゲートドライバ

Texas Instrumentsは、エンハンスメントモードGaN FET用のLM5113 100V 1.2A/5A、ハーフブリッジゲートドライバを提供

Texas InstrumentsのLM5113ハーフブリッジゲートドライバの画像Texas InstrumentsのLM5113は、ハイサイドとローサイドのエンハンスメントモードの窒化ガリウム(GaN)FETの両方を同期降圧またはハーフブリッジ構成で駆動するように設計されています。フローティングハイサイドドライバは、100Vまで動作するハイサイドエンハンスメントモードGaN FETを駆動することができます。ハイサイドバイアス電圧は、ブートストラップ技術を使用して生成され、5.2Vで内部クランプされ、ゲート電圧がエンハンスメントモードGaN FETの最大ゲート〜ソース電圧定格を超えるのを防止します。LM5113の入力はTTLロジックと互換性があり、VDD電圧に関係なく最大14Vの入力電圧に耐えることができます。LM5113はスプリットゲート出力を備えており、ターンオンおよびターンオフの強さを個別に調整する柔軟性を提供します。

さらに、LM5113の強力なシンク能力は、ゲートを低状態に維持し、スイッチング中に意図しないターンオンを防止します。LM5113は数MHzまで動作できます。LM5113は、標準の10ピンWSONパッケージと12バンプのDSBGAパッケージで入手可能です。10ピンWSONパッケージには、電力放散を補助するための露出パッドが含まれています。DSBGAパッケージは、コンパクトな実装面積と最小限のパッケージインダクタンスを提供します。

特長
  • 独立したハイサイドおよびローサイドTTL論理入力
  • 1.2A/5Aピークのソース/シンク電流
  • ハイサイドフローティングバイアス電圧レールは、最大100VDCで動作
  • 内蔵のブートストラップ電源電圧クランプ
  • 調節可能ターンオン/オフ強度用分割出力
  • 0.6Ω/2.1Ωのプルダウン/プルアップ抵抗
  • 高速伝播時間(標準28ns)
  • 優れた伝播遅延マッチング(1.5ns標準)
  • 電源レール不足電圧ロックアウト
  • 低消費電力
応用
  • 電流給電プッシュプルコンバータ
  • ハーフおよびフルブリッジコンバータ
  • 同期整流式降圧コンバータ
  • 2スイッチフォワード型コンバータ
  • アクティブクランプを備えた順方向コンバータ

LM5113 Half-Bridge Gate Drivers

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IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGALM5113TME/NOPBIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA14938 - 即時
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IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSONLM5113SD/NOPBIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON1517 - 即時
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IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSONLM5113SDE/NOPBIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON736 - 即時
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IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12USMDLM5113TMX/NOPBIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12USMD9000 - 工場在庫品詳細を閲覧

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DEV GAN 1/2 BRIDGE 2015 W/LM5113EPC9201DEV GAN 1/2 BRIDGE 2015 W/LM511350 - 即時詳細を閲覧
BOARD EVAL FOR LM5113LLPLM5113LLPEVB/NOPBBOARD EVAL FOR LM5113LLP3 - 即時
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刊行: 2017-05-23