LMG3410R050/LMG3411R050 600 V GaN FETパワー段

Texas Instrumentsが提供するドライバと保護を内蔵するLMG3410R050およびLMG3411R050 GaNパワー段により、パワーエレクトロニクスシステムで高レベルの電力密度と効率を実現できます。装置は、超低入力および出力容量、スイッチング損失を最大80%低減するゼロ逆回復、およびEMIを低減する低スイッチノードリンギングを含む、シリコンMOSFETを凌ぐ固有の利点を提供します。これらの利点により、トーテムポールPFCを含む高密度で効率的なトポロジを実現します。

LMG3410R050およびLMG3411R050は、設計を簡素化し、信頼性を最大化して、あらゆる電源の性能を最適化する独自の機能セットを内蔵することで、従来のカスコードGaNとスタンドアロンGaN FETに代わるスマートな代替品を提供します。内蔵ゲート駆動は、ゼロに近いV_DSリンギングの100V/nsのスイッチングを実現し、100ns未満の電流制限応答は、意図しないシュートスルー事象から自己保護します。また、過温度シャットダウンは熱暴走を防止し、システムインターフェース信号は自己モニタリング機能を提供します。