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NCx51705 EliteSiC MOSFETゲートドライバ
onsemiのシングル6A高速ドライバは、EliteSiC MOSFETデバイスに最大許容ゲート電圧を提供可能
onsemiのNCx51705ローサイド、シングル6A高速ドライバは、主にEliteSiC MOSFETトランジスタを駆動するように設計されています。伝導損失を可能な限り低くするために、このドライバは最大許容ゲート電圧をEliteSiC MOSFETデバイスに供給することができます。ターンオンおよびターンオフ時に高いピーク電流を提供することにより、スイッチング損失も最小限に抑えられます。信頼性の向上、dv/dt耐性、さらに高速なターンオフのために、NCx51705はオンボードのチャージポンプを利用して、ユーザーが選択可能な負電圧レールを生成できます。絶縁アプリケーションの場合、NCx51705は、外部からアクセス可能な5Vレールも提供し、デジタルまたは高速オプトアイソレータの2次側に電力を供給します。
リソース
- 技術文書： SiC MOSFET：ゲート駆動の最適化
- 技術文書： GaNトランジスタとSiCトランジスタの違い
- ビデオ： HEV/EV充電アプリケーションでのバンドギャップの利用
特長
- スプリット出力段を備えた高いピーク出力電流
- 最大28Vまでの拡張正電圧定格
- ユーザーが調整可能な内蔵負電荷ポンプ（-3.3V〜-8V）
- アクセス可能な5Vリファレンス/バイアスレール
- 調節可能な不足電圧ロックアウト
- 高速脱飽和機能
- QFN24パッケージ4mm x 4mm
- 独立したオン/オフ調整を許可
- 導通期間中の効率的なSiC MOSFET動作
- 高速ターンオフと堅牢なdv/dt耐性
- 絶縁ゲート駆動アプリケーションでのバイアス電源の複雑さを最小限に抑制
- SiCの最高のパフォーマンスに一致する十分なVGS振幅
- 設計の自己保護
- 小型で低寄生インダクタンスのパッケージ
用途
- 高性能インバータ
- 高出力モータドライバ
- トーテムポールPFC
- 産業用およびモータ駆動
- UPSおよびソーラーインバータ
- 高電力DC充電器
NCx51705 SiC MOSFET Gate Driver
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | NCP51705MNTXG | IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN | 861 - 即時 114000 - 工場在庫品 | $919.00 | 詳細を表示 |
|  | NCV51705MNTWG | IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN | 5104 - 即時 | $622.00 | 詳細を表示 |
Other Wide Bandgap Solutions
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|  | NTHL080N120SC1 | SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 | 0 - 即時 | See Page for Pricing | 詳細を表示 |
|  | NDSH25170A | DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472 | 0 - 即時 | $2,817.00 | 詳細を表示 |
|  | FFSD08120A | DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA | 2358 - 即時 5000 - 工場在庫品 | $1,054.00 | 詳細を表示 |
|  | NCD57001DWR2G | DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC | 1231 - 即時 | $978.00 | 詳細を表示 |
|  | FFSB0665B | DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO263 | 627 - 即時 | $483.00 | 詳細を表示 |
更新日： 2020-04-03
刊行： 2019-11-06
日本