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マーケットプレイス製品
1700Vシリコンカーバイド EliteSiC ダイオード
温度に依存しないスイッチング特性を備え、熱性能に優れたonsemiのダイオード
onsemiの1700V EliteSiCショットキーダイオードは、シリコンと比較して優れたスイッチング性能と高い信頼性をもたらす技術を使用しています。逆回復電流がなく、温度に依存しないスイッチング特性を備え、熱性能に優れていることが、シリコンカーバイド（SiC）を次世代の電力半導体にしています。システムの利点としては、高効率、動作周波数の高速化、電力密度の向上、EMIの低減、システムサイズやコストの削減が挙げられます。
特長
- 並列化の容易さ
- 高いサージ電流容量
- 最大接合温度：+175°C
- 逆回復なし/順方向回復なし
- より高いスイッチング周波数
- 低い順方向電圧（VF）
- 正の温度係数
- AEC-Q101認定済みでPPAP対応
応用
- 車載用HEV-EV DC/DCコンバータ
- 車載用HEV-EVオンボード充電器
- 産業用電力
- PFC
- ソーラー
- UPS
- 溶接
1700 V EliteSiC Diodes
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | NDSH25170A | DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472 | 0 - 即時 | $2,817.00 | 詳細を表示 |
Other Wide Bandgap Solutions
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|  | NTHL080N120SC1 | SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 | 0 - 即時 | See Page for Pricing | 詳細を表示 |
|  | FFSD08120A | DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA | 2358 - 即時 5000 - 工場在庫品 | $1,054.00 | 詳細を表示 |
|  | NCD57001DWR2G | DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC | 1231 - 即時 | $978.00 | 詳細を表示 |
|  | FFSB0665B | DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO263 | 627 - 即時 | $483.00 | 詳細を表示 |
|  | NCP51705MNTXG | IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN | 961 - 即時 114000 - 工場在庫品 | $919.00 | 詳細を表示 |
刊行： 2020-04-02
日本