1200V EliteSiCダイオード

動作周波数の高速化、電力密度の向上、EMIの低減などの利点があるonsemiのシリコンカーバイド(SiC)ダイオード

画像:onsemiの1200Vシリコンカーバイド(SiC)ダイオードonsemiのEliteSiCショットキーダイオードは、シリコン品と比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を提供する技術を採用しています。逆回復電流がなく、温度に依存しないスイッチング特性を備え、熱性能に優れていることが、シリコンカーバイドを次世代の電力半導体にしています。システムの利点としては、高効率、動作周波数の高速化、電力密度の向上、EMIの低減、システムサイズやコストの削減が挙げられます。

特長
  • 並列化の容易さ
  • 高いサージ電流容量
  • 最大接合温度:+175°C
  • 逆回復なし/順方向回復なし
  • 高スイッチング周波数
  • 低順方向電圧(VF
  • 正の温度係数
  • AEC-Q101認定済みおよびPPAP対応
応用
  • 車載用HEV-EV DC/DCコンバータ
  • 車載用HEV-EVオンボード充電器
  • 産業用電源
  • PFC
  • ソーラー
  • UPS
  • 溶接

1200 V EliteSiC Diodes

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刊行: 2020-04-02