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NextPowerS3高性能MOSFET
NexperiaのSchottkyPlusボディダイオードを備えた効率的な25V、30V、および40V MOSFETは、低スパイクと低IDSSリークを実現
NexperiaのNextPowerS3高性能25V、30V、および40V MOSFETプラットフォームは、銅クリップLFPAKパッケージによってスーパージャンクション技術を組み込んで、低RDS(on)を実現し、380Aまでの連続電流能力を実証します。これらのパラメータ（例えば、強力/現実的なID最大定格、超強力なSOA、および低RDS(on)など）は、同時に動作し、妥協することなく、独自に配置された高性能で信頼性の高いMOSFETを実現します。
特長
- 独自のSchottkyPlusボディダイオードは、低スパイクと低IDSSリークを実現
- 利用可能なロジックレベルおよび標準レベルのゲートオプション
- 主要な競合他社と比較して大規模なSOA機能
- 高効率DC/DCを実現するバランスの取れたRDS(on)およびQG
応用
- 12VサーバとコンピューティングORingおよびホットスワップ
- 同期整流器と高速スイッチング制御FET
- 電圧レギュレータ（VRM）およびポイントオブロード（PoL）モジュール
- ブラシ付きおよびBLDCモータ制御
- USB PD VBUSスイッチ、負荷スイッチ、およびバッテリ保護
NextPowerS3 High-Performance MOSFETs
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | PSMN1R4-30YLDX | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 | 14290 - 即時 | $411.00 | 詳細を表示 |
| | PSMN2R4-30YLDX | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 | 1769 - 即時 | $296.00 | 詳細を表示 |
| | PSMN5R4-25YLDX | MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK56 | 2885 - 即時 | $180.00 | 詳細を表示 |
|  | PSMN2R0-25MLDX | MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33 | 10798 - 即時 | $315.00 | 詳細を表示 |
|  | PSMN1R0-40YSHX | MOSFET N-CH 40V 290A LFPAK56 | 5497 - 即時 | $835.00 | 詳細を表示 |
刊行： 2022-03-18
日本