GaN FET

            GaN FET
  
                    NexperiaのGaN FETは、パフォーマンス、効率、および信頼性を向上

NexperiaのGaN FETは、システム全体のコストを抑えながら、小型化、速度、低温化、軽量化されたシステムを実現します。効率的な電力使用は、重要な産業上の課題であり、イノベーションの推進力です。社会的圧力と法律により電力変換と制御の効率向上が求められています。一部のアプリケーションでは、電力変換効率と電力密度が市場での採用に不可欠です。主な例としては、自動車の電化や高電圧通信および産業インフラセクターへの傾向が挙げられます。

特長

4Vのしきい値電圧で簡単に駆動
逆導通モードでの損失を低減するための優れたボディダイオード（低V_F）
高速スイッチングのための超低Q_RR

800Vの過渡過電圧機能
堅牢なゲート酸化物（±20V機能）

用途・応用

サーバおよび電気通信電源
バッテリストレージとUPS
産業用オートメーション

車載充電器（OBC）
DC/DCパワー変換
トラクションインバータ

GaN FETs

	画像	メーカー品番	商品概要	ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	入手可能な数量	価格	詳細を表示
		GAN063-650WSAQ	GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3	650 V	34.5A（Tc）	10V	0 - 即時	$2,206.90	詳細を表示
		GAN041-650WSBQ	GAN041-650WSB/SOT429/TO-247	650 V	47.2A（Tc）	10V	284 - 即時	$2,793.00	詳細を表示